1、ISSCC 2026放榜，清華大學(xué)18篇位居全球第一

2025年11月24日，ISSCC 亞太區(qū)委員會召開了2026 年的中國區(qū)發(fā)布會。在整體錄取率史上最低（25.1%）的情況下，中國內(nèi)地（81篇） + 香港（4篇）+ 澳門（11篇）被錄用的論文數(shù)再創(chuàng)新高達到 96 篇，領(lǐng)跑全球。從 ISSCC 2026 第一作者及第一單位統(tǒng)計來看，清華大學(xué)以 18 篇論文位居第一，顯示出其在集成電路與系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域的長期技術(shù)積累；復(fù)旦大學(xué)以 10 篇緊隨其后；澳門大學(xué)以 11 篇成為港澳地區(qū)最具影響力機構(gòu)。

2、IEDM 2025：北京大學(xué)以21篇論文領(lǐng)跑

2025年IEDM大會于12月6日-10日在美國舊金山召開。IEDM是半導(dǎo)體微電子器件領(lǐng)域的頂級會議，享有“微電子奧林匹克”的美譽。按照第一作者所在機構(gòu)統(tǒng)計，中國內(nèi)地高校和研究機構(gòu)入選論文數(shù)量TOP3依次為北京大學(xué)（21篇）、中國科學(xué)院微電子研究所（8篇）、清華大學(xué)（6篇）。

3、EDA頂會 DAC 2025：國內(nèi)高校及院所論文成果豐碩

DAC 2025于6月22日至25日在美國加利福尼亞州舊金山舉行。作為EDA領(lǐng)域的頂級盛會，DAC至今已有62年歷史。

DAC 2025，中國15家機構(gòu)第一次有第一作者論文入選，包括：北京科技大學(xué)、大連海事大學(xué)、廣州大學(xué)、湖南科技大學(xué)、吉林大學(xué)、南京航空航天大學(xué)、南京信息工程大學(xué)、南京郵電大學(xué)、寧波大學(xué)、首都師范大學(xué)、香港中文大學(xué)（香港）、湘潭大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等。從EDA主題論文錄用情況來看，來自四大洲的9個國家62家機構(gòu)的111篇論文。其中，中國錄用77篇，包括中國內(nèi)地53篇，中國香港和中國臺灣各12篇。

4、清華提出世界首款“物譜芯片”光譜成像芯片2.0

“感算一體芯片”作為人工智能時代重要的基礎(chǔ)模塊，可以為手機、機器人、無人機等一系列小型化、便攜化終端設(shè)備賦能感知與計算的強大能力。清華大學(xué)電子系黃翊東教授團隊崔開宇課題組提出世界首款“物譜芯片”——光譜成像芯片2.0，即物質(zhì)成像光譜卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片，是面向復(fù)雜視覺任務(wù)的感算一體芯片，也是首個可以用含有物質(zhì)光譜信息的自然光直接作為輸入的光計算芯片，突破了現(xiàn)有光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)大多都難以落地到實際應(yīng)用的困境，真正實現(xiàn)真實世界的復(fù)雜視覺計算任務(wù)。相關(guān)研究成果以“非相干光感算一體的光譜卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片”為題，于1月2日在線發(fā)表于《自然·通訊》。

5、刷新國際記錄！北京量子院在光聲量子存儲器領(lǐng)域取得新突破

2月28日，北京量子信息科學(xué)研究院官宣，量子計算云平臺李鐵夫、劉玉龍團隊與芬蘭Aalto大學(xué)、QTF量子研究中心Mika A. Sillanp?? 教授合作，基于高硬度的單晶碳化硅薄膜材料，成功研制出多模態(tài)長壽命的光聲量子存儲器。存儲器在模式穩(wěn)定性以及信息存儲時長等關(guān)鍵性能上刷新了國際記錄。2025年1月31日，相關(guān)成果以“Degeneracy-breaking and long-lived multimode microwave electromechanical systems enabled by cubic silicon-carbide membrane crystals”為題在線發(fā)表于國際知名期刊《自然·通訊》上。

6、復(fù)旦大學(xué)在二維半導(dǎo)體前沿研究領(lǐng)域取得系列重要突破

復(fù)旦大學(xué)在二維半導(dǎo)體前沿研究領(lǐng)域取得系列重要突破，其集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室相繼發(fā)布了具有國際領(lǐng)先水平的多項創(chuàng)新成果。周鵬、包文中聯(lián)合團隊成功研制出全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理——“無極（WUJI）”。該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸，首次實現(xiàn)5900個晶體管的集成度，在國際上實現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗證紀(jì)錄。該成果使我國在新一代芯片材料研制中占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，為推動電子與計算技術(shù)進入新紀(jì)元提供有力支撐。相關(guān)成果于北京時間4月2日晚間，以《基于二維半導(dǎo)體的RISC-V 32比特微處理器》為題發(fā)表于《自然》（Nature）期刊。

集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬-劉春森團隊研發(fā)的“長纓（CY-01）”架構(gòu)將二維超快閃存器件“破曉（PoX）”與成熟硅基CMOS工藝深度融合，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片。這一突破攻克了新型二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題，為新一代顛覆性器件縮短應(yīng)用化周期提供范例，也為推動信息技術(shù)邁入全新高速時代提供強力支撐。相關(guān)研究成果以《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》為題，于北京時間10月8日晚間在《自然》期刊上發(fā)表。

7、北京大學(xué)高精度可擴展模擬矩陣計算芯片

北京大學(xué)人工智能研究院孫仲研究員團隊聯(lián)合集成電路學(xué)院研究團隊，成功研制出基于阻變存儲器的高精度、可擴展模擬矩陣計算芯片，首次實現(xiàn)了在精度上可與數(shù)字計算媲美的模擬計算系統(tǒng)。相關(guān)論文于10月13日刊發(fā)于《自然·電子學(xué)》期刊。相關(guān)性能評估表明，該芯片在求解大規(guī)模MIMO信號檢測等關(guān)鍵科學(xué)問題時，計算吞吐量與能效較當(dāng)前頂級數(shù)字處理器（GPU）提升百倍至千倍。這一成果標(biāo)志著我國突破模擬計算世紀(jì)難題，在后摩爾時代計算范式變革中取得重大突破，為應(yīng)對人工智能與6G通信等領(lǐng)域的算力挑戰(zhàn)開辟了全新路徑。

8、“祖沖之三號”創(chuàng)造新紀(jì)錄，量子計算研究獲新突破

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉、朱曉波、彭承志等，與上海量子科學(xué)研究中心、河南省量子信息與量子密碼重點實驗室、中國計量科學(xué)研究院、濟南量子技術(shù)研究院、西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院以及中國科學(xué)院理論物理研究所等單位合作，成功構(gòu)建了105比特（包含105個可讀取比特和182個耦合比特）超導(dǎo)量子計算原型機“祖沖之三號”，實現(xiàn)了對“量子隨機線路采樣”任務(wù)的快速求解。與現(xiàn)有最優(yōu)經(jīng)典算法相比，“祖沖之三號”處理量子隨機線路采樣問題的速度，比目前最快的超級計算機快15個數(shù)量級，超過谷歌公司2024年10月公開發(fā)表的最新成果6個數(shù)量級。繼超導(dǎo)量子計算原型機“祖沖之二號”后，再一次打破超導(dǎo)體系量子計算優(yōu)越性紀(jì)錄。

9、上海交通大學(xué)實現(xiàn)新一代光計算芯片研究新突破

上海交通大學(xué)科研人員在新一代光計算芯片領(lǐng)域取得突破，首次實現(xiàn)了支持大規(guī)模語義媒體生成模型的全光計算芯片。相關(guān)成果12月19日發(fā)表于《科學(xué)》雜志。

論文作者、上海交大集成電路學(xué)院助理教授陳一彤表示，把光計算真正用到生成式AI上并不簡單，已有的全光計算芯片主要局限于小規(guī)模、分類任務(wù)，光電級聯(lián)或復(fù)用又會嚴(yán)重削弱光計算速度。如何讓下一代算力光芯片運行復(fù)雜生成模型，是全球智能計算領(lǐng)域公認的難題。課題組提出并實現(xiàn)了全光大規(guī)模語義生成芯片LightGen，采用極嚴(yán)格算力評價標(biāo)準(zhǔn)的實測表明：即便采用性能較滯后的輸入設(shè)備，LightGen仍可取得相比頂尖數(shù)字芯片2個數(shù)量級的算力和能效提升。團隊表示，LightGen之所以實現(xiàn)性能飛躍，在于其在單枚芯片上同時突破了“單片上百萬級光學(xué)神經(jīng)元集成”“全光維度轉(zhuǎn)換”“不依賴真值的光學(xué)生成模型訓(xùn)練算法”三項關(guān)鍵瓶頸，使得面向大規(guī)模生成任務(wù)的全光端到端實現(xiàn)成為可能。

10、南京大學(xué)銻晶體接觸技術(shù)突破二維半導(dǎo)體器件尺寸微縮瓶頸

南京大學(xué)集成電路學(xué)院王欣然、李衛(wèi)勝團隊與合作者創(chuàng)新開發(fā)出銻晶體外延接觸技術(shù)，解決了亞20納米接觸長度下二維半導(dǎo)體歐姆接觸難題，成功研制出1納米節(jié)點高性能二硫化鉬（MoS?）晶體管器件，展示了二維半導(dǎo)體應(yīng)用于埃米時代集成電路的潛力。相關(guān)成果以“Scaled crystalline antimony Ohmic contacts for two-dimensional transistors”為題，在線發(fā)表于《自然·電子學(xué)》期刊。

二維半導(dǎo)體材料因其原子級厚度和優(yōu)異的微縮潛力，被公認為后摩爾集成電路最具希望的非硅新材料，受到全球?qū)W術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。