浙江
臺積電正加快在美國推進(jìn)先進(jìn)芯片制造進(jìn)程。據(jù)日本《日經(jīng)亞洲評論》報道，該公司計劃于2026年中旬開始向亞利桑那州第二座晶圓廠搬入生產(chǎn)設(shè)備，并將3納米芯片量產(chǎn)目標(biāo)鎖定在2027年。
報道援引消息人士稱，設(shè)備安裝預(yù)計在2026年7月至9月間啟動。設(shè)備到位后，通常需要近一年時間完成生產(chǎn)線驗證和量產(chǎn)準(zhǔn)備，對于3納米等先進(jìn)制程而言，由于涉及超過1000道工序及嚴(yán)格的工藝驗證，此過程可能更長。這一最新時間表與臺積電董事長兼執(zhí)行長魏哲家近期表態(tài)一致，他表示公司希望提前于原計劃（2028年）啟動美國生產(chǎn)。
與此同時，《工商時報》報道，臺積電將于年底前邀請投標(biāo)亞利桑那第三座廠房的建設(shè)合約。目前，第一座亞利桑那廠已開始為蘋果生產(chǎn)芯片，并供應(yīng)英偉達(dá)最新Blackwell架構(gòu)AI處理器。一旦總額1650億美元的亞利桑那項目全面完成，包括五座晶圓廠、高級封裝設(shè)施及研發(fā)中心，臺積電預(yù)計其最先進(jìn)芯片約30%將在美國制造。
此外，臺積電正考慮調(diào)整日本熊本第二廠計劃，據(jù)《日經(jīng)》報道，公司或?qū)⒃搹S轉(zhuǎn)向4納米制程，而非原定的6納米和7納米，這可能需要設(shè)計變更并導(dǎo)致項目延后。
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