前言

近期，充電頭網(wǎng)了解到，英飛凌面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)推出7款全新CoolGaN? G5 700V增強(qiáng)型氮化鎵器件，導(dǎo)阻覆蓋140~500mΩ，為不同功率等級(jí)與效率目標(biāo)提供更多選型。本次7款器件提供PG-TSON-8與DPAK兩類封裝，滿足消費(fèi)級(jí)高功率密度電源產(chǎn)品對(duì)高頻、高效率功率器件的需求。

英飛凌CoolGaN? G5 700V高壓氮化鎵

英飛凌CoolGaN? G5 700V高壓氮化鎵采用增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，常關(guān)斷、無(wú)反向恢復(fù)電荷，具備極低柵電荷與輸出電荷，支持超高速開(kāi)關(guān)和反向?qū)?，在高頻條件下大幅降低開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率；同時(shí)，其動(dòng)態(tài)導(dǎo)阻和熱漂移控制更優(yōu)，ESD等級(jí)可達(dá)2kV HBM/1kV CDM，并結(jié)合ThinPAK/TSON、DPAK等底部散熱封裝以及8英寸晶圓+全自動(dòng)量產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)更緊湊的功率密度、更可靠的一致性，為快充、電源模塊、AI服務(wù)器、電信電源等700V級(jí)應(yīng)用提供高效率、高可靠的GaN開(kāi)關(guān)器件平臺(tái)。

充電頭網(wǎng)將本次英飛凌面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)推出的7款氮化鎵器件部分參數(shù)匯總至上表，詳細(xì)參數(shù)將在下文為您介紹。

IGD70R140D2S

在產(chǎn)品特性層面，IGD70R140D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、具備超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜赑D快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

IGLR70R140D2S

在產(chǎn)品特性層面，IGD70R140D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜赑D快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

IGD70R200D2S

在產(chǎn)品特性上，IGD70R140D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、具備超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用?，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

IGLR70R200D2S

在產(chǎn)品特性上，IGLR70R200D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、具備超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、240mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用?，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

IGLR70R270D2S

在產(chǎn)品特性上，IGLR70R270D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、具備超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜赑D快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

IGD70R270D2S

在產(chǎn)品特性上，IGD70R270D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、具備超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜赑D快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

IGD70R500D2S

在產(chǎn)品特性上，IGD70R500D2S為一顆700V增強(qiáng)型功率晶體管、具備超高速開(kāi)關(guān)、無(wú)反向恢復(fù)電荷、可反向傳導(dǎo)低柵極電荷、低輸出電荷、600mΩ低導(dǎo)通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過(guò)JEDEC認(rèn)證（JESD47、JESD22）；在應(yīng)用領(lǐng)域?qū)用妫捎糜赑D快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場(chǎng)景。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

英飛凌此次面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)推出的7款CoolGaN? G5氮化鎵，既兼顧高頻、高效率，又兼顧量產(chǎn)一致性與散熱設(shè)計(jì)靈活度。借助PG-TSON-8與DPA等封裝這一系列器件能夠覆蓋從PD快充、適配器到電視電源、家電電源等多類應(yīng)用場(chǎng)景，為工程師在電源設(shè)計(jì)中提供更豐富、更可靠的GaN選型。