日本印刷株式會(huì)社（DNP）近日宣布，成功開發(fā)出電路線寬為10納米的NIL納米壓印技術(shù)，可用于相當(dāng)于1.4納米等級(jí)的邏輯半導(dǎo)體電路圖形化。公司表示，該產(chǎn)品針對(duì)智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、NAND Flash等應(yīng)用場(chǎng)景中先進(jìn)邏輯芯片的微型化需求，目前已啟動(dòng)客戶評(píng)估工作，計(jì)劃于2027年開始量產(chǎn)。 DNP同時(shí)提出，力爭(zhēng)在2030財(cái)年將納米壓印相關(guān)業(yè)務(wù)的營(yíng)收提升40億日元（約1.8億元人民幣）。

DNP 指出，隨著終端設(shè)備性能持續(xù)提升，市場(chǎng)對(duì)更先進(jìn)制程邏輯半導(dǎo)體的需求不斷擴(kuò)大，推動(dòng)采用極紫外（EUV）曝光生產(chǎn)技術(shù)的演進(jìn)。 但EUV在生產(chǎn)線建設(shè)和曝光過程中需要龐大金額的投資，并且有高耗能與環(huán)境負(fù)荷的問題。 因此，自2003年起，DNP開始持續(xù)研發(fā)納米壓印技術(shù)，通過將電路圖形直接壓印到基板材料上，為制造商在部分制程技術(shù)環(huán)節(jié)上降低曝光能耗、優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)提供了新的技術(shù)路徑。

此次推出的10納米線寬NIL納米壓印技術(shù)，可在部分圖形化環(huán)節(jié)上替代EUV光刻，為尚未導(dǎo)入EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)線的半導(dǎo)體制造商提供先進(jìn)邏輯工藝的另一個(gè)選項(xiàng)。 DNP表示，通過向客戶供應(yīng)納米壓印技術(shù)，有望在保持圖形精度和線寬控制的前提下，擴(kuò)大先進(jìn)制程圖形化的制程選擇空間，協(xié)助客戶在制造成本和環(huán)境負(fù)荷之間取得平衡。公司認(rèn)為，隨著邏輯組件持續(xù)向更精細(xì)線寬演進(jìn)，奈米壓印制程在部分節(jié)點(diǎn)可能具備一定經(jīng)濟(jì)性優(yōu)勢(shì)。

納米印刻光刻工藝流程

而在具體工藝技術(shù)上，DNP導(dǎo)入自對(duì)準(zhǔn)雙重成像（SADP）技術(shù)，對(duì)曝光形成的圖形進(jìn)行薄膜沉積和蝕刻，使圖形密度達(dá)成翻倍，在此基礎(chǔ)上完成10納米線寬的納米壓印技術(shù)。 公司稱，本次研發(fā)不僅利用了其在光罩制造領(lǐng)域長(zhǎng)期積累的高精度圖形化能力，還結(jié)合了晶圓制造制程技術(shù)，進(jìn)一步在產(chǎn)品精度、穩(wěn)定性與可量產(chǎn)性方面滿足先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體的要求。 根據(jù)公司推測(cè)，采用納米壓印的超精細(xì)半導(dǎo)體制程技術(shù)，可將曝光環(huán)節(jié)的能源消耗降至當(dāng)前主流制程的大約1/10。

在產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)方面，DNP已與半導(dǎo)體制造商開展溝通，并啟動(dòng)新型NIL納米壓印技術(shù)的評(píng)估工作。 公司計(jì)劃在完成客戶驗(yàn)證、建立量產(chǎn)工藝和供應(yīng)體系后，于2027年開啟量產(chǎn)供貨，以應(yīng)對(duì)邏輯半導(dǎo)體微縮帶來(lái)的市場(chǎng)需求。 DNP表示，將持續(xù)推動(dòng)納米壓印技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)充，以匹配未來(lái)市場(chǎng)放量節(jié)奏，將相關(guān)業(yè)務(wù)培育為公司半導(dǎo)體板塊的重要增長(zhǎng)關(guān)鍵點(diǎn)。

此外，DNP還計(jì)劃在2025年12月17日至19日于東京國(guó)際展覽中心舉辦的SEMICON Japan 2025上，展出這款10納米線寬NIL納米壓印技術(shù)。 公司認(rèn)為，通過在專業(yè)展會(huì)集中展示產(chǎn)品與技術(shù)路線，可加深與全球半導(dǎo)體制造企業(yè)及設(shè)備廠商的交流，推動(dòng)納米壓印技術(shù)在先進(jìn)邏輯制程中的應(yīng)用發(fā)展。 后續(xù)該技術(shù)在量產(chǎn)良率、生產(chǎn)節(jié)拍以及與既有制程技術(shù)整合方面的表現(xiàn)，將成為市場(chǎng)持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)。

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