來源：天天IC

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荷蘭半導體制造商恩智浦半導體（NXP）公司周三表示，計劃在2027年前停止其5G功率放大器（PA）產品線，并關閉其位于美國亞利桑那州錢德勒的射頻氮化鎵工廠。

恩智浦半導體的射頻功率產品線主要服務于電信基礎設施領域，為蜂窩基站提供射頻功率組件。

然而，NXP的一位發(fā)言人表示，由于移動運營商投資回報率不足以及全球5G基站部署規(guī)模偏小，NXP決定退出無線電功率市場，并縮減其位于錢德勒的ECHO GaN工廠的運營規(guī)模。

恩智浦半導體的ECHO晶圓廠生產基于氮化鎵芯片的5G設備用功率放大器。

恩智浦發(fā)言人表示：“鑒于市場現(xiàn)狀且復蘇前景黯淡，射頻業(yè)務已不再符合公司的長期戰(zhàn)略方向。因此，恩智浦決定逐步縮減其射頻功率產品線?！?/p>

據(jù)了解，恩智浦位于亞利桑那州錢德勒的ECHO晶圓廠于2020年9月正式啟用，當時5G技術正處于蓬勃發(fā)展的時期。恩智浦稱其為同類工廠中“最先進”的。此前，一些老舊的晶圓廠曾為全球4G網(wǎng)絡生產功率放大器（PA）芯片。恩智浦的功率放大器采用一種名為橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）的硅基技術，在早期移動通信領域應用廣泛。ECHO晶圓廠的任務是生產基于氮化鎵（GaN）的5G設備用功率放大器。恩智浦將氮化鎵視為功率密度和效率方面的新“黃金標準”。

僅僅五年后，ECHO晶圓廠就即將關閉。這標志著這家荷蘭公司退出了5G和射頻功率（RP）市場，也使得愛立信和諾基亞等設備供應商在關鍵組件的選擇上更加捉襟見肘。

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