本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自technews

ASML XT:260 登場(chǎng)。

隨著人工智能（AI）芯片和高性能計(jì)算（HPC）需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速邁入異質(zhì)整合與先進(jìn)封裝的全新發(fā)展階段。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造流程中，光刻技術(shù)的研發(fā)重心多集中于前端晶圓制造環(huán)節(jié)，然而當(dāng)前后段封裝所需的光刻制程能力，已成為制約下一代系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)升級(jí)的關(guān)鍵瓶頸。為解決芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大及晶圓翹曲帶來(lái)的制程難題，全球光刻設(shè)備龍頭企業(yè)ASML近日正式宣布推出新型光刻設(shè)備 XT:260，通過(guò)大幅擴(kuò)大曝光場(chǎng)范圍，顯著提升了先進(jìn)封裝制程的生產(chǎn)效率與產(chǎn)品良率，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。

ASML表示，現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)正越來(lái)越依賴(lài)垂直與水平雙向的 “堆疊方式”，以此實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能輸出與更高的傳輸帶寬。這類(lèi)堆疊結(jié)構(gòu)通常集成多種異質(zhì)元件，在處理器單元中，可將最新的圖形處理器（GPU，如 B200 型號(hào)）或中央處理器（CPU）等核心部件進(jìn)行靈活組合搭配；在存儲(chǔ)領(lǐng)域，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）經(jīng)垂直堆疊后形成高性能內(nèi)存（HPM），這也是高頻寬內(nèi)存（HBM）的簡(jiǎn)化表述，能夠滿(mǎn)足高性能計(jì)算對(duì)存儲(chǔ)速度的嚴(yán)苛要求；而在光電整合領(lǐng)域的共封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，盡管目前尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但ASML判斷其將在未來(lái)幾年內(nèi)成為半導(dǎo)體行業(yè)重要的技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。在這些復(fù)雜的芯片堆疊結(jié)構(gòu)中，中介層扮演著至關(guān)重要的橋接角色，尤其是中介層表面需布設(shè)精密電路，必須通過(guò)光刻曝光制程才能將電路圖案精準(zhǔn)印制，這對(duì)光刻設(shè)備的性能提出了極高要求。

據(jù)ASML介紹，依據(jù)臺(tái)積電的技術(shù)路線圖（Roadmap），業(yè)界普遍以 “掩膜版尺寸” 作為衡量中介層大小的核心指標(biāo)，一塊掩膜版尺寸可視為一個(gè)基礎(chǔ)面積單位。當(dāng)前行業(yè)內(nèi)中介層的主流組裝尺寸約在 3.x 塊至 5.x 塊掩膜版大小的水平，而未來(lái)技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)是將這一尺寸提升至約八塊掩膜版大小。隨著中介層尺寸的不斷增大，傳統(tǒng)光刻設(shè)備正面臨兩大核心技術(shù)挑戰(zhàn)，嚴(yán)重制約了先進(jìn)封裝技術(shù)的迭代速度。

第一個(gè)核心挑戰(zhàn)是曝光場(chǎng)范圍限制。傳統(tǒng)光刻設(shè)備的單次曝光場(chǎng)覆蓋面積有限，若要加工尺寸達(dá)到八塊掩膜版大小的大型中介層，必須采用分區(qū)多次曝光的方式完成。這種操作模式不僅大幅延長(zhǎng)了生產(chǎn)周期，降低了制造效率，還可能因多次曝光的對(duì)齊誤差影響電路圖案的精度，進(jìn)而拖累產(chǎn)品良率。第二個(gè)核心挑戰(zhàn)是晶圓翹曲問(wèn)題。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域存在一個(gè)特殊規(guī)律：芯片尺寸越大，制程難度越高。當(dāng)多種不同材質(zhì)的芯片被整合組裝時(shí)，由于各類(lèi)材料的熱膨脹系數(shù)存在差異，晶圓在制程加熱過(guò)程中極易發(fā)生彎曲變形，也就是行業(yè)常說(shuō)的晶圓翹曲。這種變形會(huì)直接導(dǎo)致光刻圖案印制偏移，傳統(tǒng)光刻設(shè)備難以應(yīng)對(duì)這種非平整晶圓的加工需求。

為精準(zhǔn)破解上述兩大難題，ASML針對(duì)性研發(fā)并于 2025 年推出了 XT:260 新型光刻設(shè)備。該設(shè)備的核心突破在于顯著擴(kuò)大了單次曝光場(chǎng)的覆蓋范圍，從根本上提升了大型中介層的曝光效率。根據(jù)ASML公布的測(cè)試數(shù)據(jù)，XT:260 機(jī)型的產(chǎn)能表現(xiàn)相較于行業(yè)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的同類(lèi)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了大幅度領(lǐng)先。同時(shí)，該設(shè)備專(zhuān)門(mén)搭載了應(yīng)對(duì)晶圓翹曲的專(zhuān)項(xiàng)技術(shù)，能夠精準(zhǔn)適配因異質(zhì)整合導(dǎo)致的晶圓彎曲問(wèn)題，確保在非平整晶圓表面仍能完成高精度的光刻作業(yè)，徹底解決了困擾行業(yè)的關(guān)鍵制程痛點(diǎn)。

ASML相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，XT:260 的成功推出是公司發(fā)展歷程中 “非常重要的里程碑”。這標(biāo)志著ASML在過(guò)去關(guān)注度相對(duì)較低的后段封裝光刻領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期深耕研發(fā)取得了實(shí)質(zhì)性突破，進(jìn)一步完善了自身的技術(shù)布局。值得注意的是，XT:260 的應(yīng)用場(chǎng)景極為廣泛，不僅適用于中介層的光刻加工，還可覆蓋三維集成電路（3DIC），包括臺(tái)積電命名為系統(tǒng)集成芯片（SoIC）的相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，同時(shí)在光電整合的共封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)量產(chǎn)階段也具備廣闊的應(yīng)用前景。這些應(yīng)用方向與ASML提出的 “全方位光刻” 理念高度契合，預(yù)示著未來(lái)的光刻技術(shù)將不再是單一環(huán)節(jié)的設(shè)備支撐，而是朝著系統(tǒng)性、全流程的整合解決方案方向發(fā)展。

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求日益迫切，XT:260 的問(wèn)世恰逢其時(shí)。作為光刻設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，ASML此次推出的新型設(shè)備，不僅將助力自身鞏固市場(chǎng)領(lǐng)先地位，更將為全球芯片設(shè)計(jì)企業(yè)突破技術(shù)瓶頸提供關(guān)鍵支撐，加速人工智能、高性能計(jì)算等新興領(lǐng)域的技術(shù)落地與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。業(yè)界普遍認(rèn)為，隨著 XT:260 等先進(jìn)設(shè)備的逐步落地，半導(dǎo)體異質(zhì)整合與先進(jìn)封裝的發(fā)展進(jìn)程將顯著加快，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)辟新的增長(zhǎng)空間。

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