導讀：落后ASML 20年？極紫外光源問世，外媒：打破美荷“聯(lián)合封鎖”

近日，美國投行高盛發(fā)布的最新研報提及，我國自主研發(fā)的光刻設備目前主要仍停留在65nm制程階段，與荷蘭ASML等國際行業(yè)龍頭相比，“技術(shù)差距約20年”。該報告指出，當下全球制造正加速向5nm乃至更先進的節(jié)點邁進，而這一領域高度依賴極紫外（EUV）光刻機，目前全球僅有ASML具備量產(chǎn)能力。

值得留意的是，ASML的EUV系統(tǒng)關(guān)鍵零部件來源于美國，所以受到美方出口限制，無法供貨。受此情況影響，我國制造在高端制程環(huán)節(jié)面臨著較為明顯的瓶頸。

當前，國內(nèi)最為先進的7nm芯片量產(chǎn)，主要仍依賴ASML的深紫外（DUV）設備，并借助“多重曝光”技術(shù)達成。基于此情況，高盛作出判斷，認為現(xiàn)階段的光刻機技術(shù)水平大致相當于65nm水準。該機構(gòu)還進一步指出，ASML從65nm技術(shù)跨越至3nm技術(shù)，歷時整整二十余年，投入約400億美元，故而認為中國要在短期內(nèi)實現(xiàn)同等程度的技術(shù)突破“難度極高”。

然而，高盛的這一悲觀預期，顯然低估了中國科研體系所具備的韌性與發(fā)展速度。現(xiàn)實必將有力地回擊此類唱衰論調(diào)。盡管中國在高端科技領域起步相對較晚，但其崛起速度卻十分驚人。在短短四十年間，我國已在航天、新能源、人工智能等諸多領域躋身世界前列。海外針對我國科技發(fā)展的唱衰論調(diào)，已然不攻自破。

在2023年，成功攻克了28nm光刻機的關(guān)鍵技術(shù)，其整機國產(chǎn)化率超過了85%，并且首臺設備已正式交付投入使用。盡管這一成果仍屬于ArF光刻的范疇，但其實現(xiàn)量產(chǎn)標志著光刻技術(shù)已然取得了實質(zhì)性的突破，徹底粉碎了高盛所謂“停留在65nm階段”的論斷。

值得特別提及的是，并非獨自奮戰(zhàn)，整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈正在協(xié)同合作、共同攻關(guān)。從核心光源到精密光學系統(tǒng)，各個環(huán)節(jié)均在有條不紊地穩(wěn)步推進。

在EUV光刻機領域，光源是技術(shù)壁壘最高的環(huán)節(jié)。早在2022年，科研團隊便率先成功點亮了DPP（放電等離子體）極紫外光源；很快，該光源的原型機問世；到2024年上半年，其核心指標全面通過測試，這一成果令業(yè)內(nèi)為之震撼。

所研發(fā)的光源波長達到了13.5nm。與美國Cymer公司采用的LPP（激光等離子體）方案不同，毅然選擇了更具挑戰(zhàn)性的DPP技術(shù)路徑，即通過高壓放電生成等離子體，進而激發(fā)極紫外光。

相較于荷蘭ASML采用光學鏡組折射來獲取極紫外光的傳統(tǒng)模式，這種借助粒子加速輻射目標波段的方案，其技術(shù)難度更為顯著。然而，它具備更高的轉(zhuǎn)換效率與輸出精度。堅持自主創(chuàng)新之路，意味著光刻技術(shù)不再一味照搬他國方案，而是憑借原創(chuàng)技術(shù)開拓全新的發(fā)展路徑。這一進展不僅成功突破了外部的封鎖，更象征著從“追趕”到“并跑”，乃至邁向“領跑”的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。

當前，攜手國儀超精密裝備公司，斥資11億元建設的EUV光源量產(chǎn)線已開啟試運行階段，光源功率能夠穩(wěn)定輸出達30瓦。盡管與ASML的商用EUV設備相比仍存在一定差距，但30瓦的穩(wěn)定輸出已足以支撐原型機的核心實驗。與此同時，清華大學正在積極推進穩(wěn)態(tài)微聚束（SSMB）光源的研究工作，未來有望實現(xiàn)更高強度的極紫外光輸出。

這些看似各自獨立的成果，正逐漸匯聚成一張協(xié)同推進的技術(shù)網(wǎng)絡。從光源、材料到整機集成，構(gòu)建起了中國自主光刻的完整生態(tài)體系。事實充分證明：外部封鎖越嚴苛，中國的發(fā)展動力就越強。高校、科研機構(gòu)與企業(yè)齊心協(xié)力、合力攻關(guān)，正讓國產(chǎn)EUV光刻機距離實質(zhì)性突破僅一步之遙。