當摩爾定律逼近物理極限，晶體管尺寸的微縮不再是芯片性能提升的唯一路徑，先進封裝技術(shù)正從產(chǎn)業(yè)鏈的“配角”一躍成為決定AI算力上限的“主角”。限制AI硬件供應(yīng)的不只有芯片產(chǎn)能，更有CoWoS產(chǎn)能。據(jù)Yole Group數(shù)據(jù)，2025年全球先進封裝市場規(guī)模約531億美元，預(yù)計到2030年有望達794億美元，年復(fù)合增長率約8.4%。

如今，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了一場前所未有的先進封裝大戰(zhàn)：產(chǎn)能擴張速度創(chuàng)歷史新高，技術(shù)路線競爭白熱化，上游材料供應(yīng)持續(xù)緊張，下游AI與汽車電子需求呈指數(shù)級增長。這場戰(zhàn)爭不僅關(guān)乎芯片廠商的市場份額，更成為大國科技競爭的新焦點。

01

全球擴產(chǎn)競賽：產(chǎn)能成為最稀缺的戰(zhàn)略資源

如今，制約頂級AI芯片量產(chǎn)的核心瓶頸已經(jīng)不再是先進制程的晶圓制造能力，而是先進封裝環(huán)節(jié)的產(chǎn)能與技術(shù)供給。全球頭部廠商紛紛砸下重金，掀起了一場擴產(chǎn)狂潮。

臺積電作為全球先進封裝領(lǐng)域的絕對霸主，其CoWoS產(chǎn)能占據(jù)全球85%以上的市場份額，且仍在以前所未有的速度擴產(chǎn)。公司計劃布局7座先進封裝工廠，全面部署CoWoS、WMCM及SoIC三大核心封裝技術(shù)。由于高性能計算（HPC）領(lǐng)域的AI芯片需求遠超其他細分市場，臺積電的大部分封裝產(chǎn)能將優(yōu)先服務(wù)于AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。根據(jù)產(chǎn)能規(guī)劃，到2027年，臺積電先進封裝年產(chǎn)能將從當前的130萬片晶圓提升至200萬片，增幅約53.85%。為快速填補市場缺口，臺積電采取“新建+改造”雙軌策略：一方面加速建設(shè)全新封裝設(shè)施，另一方面將部分老舊8英寸晶圓廠改造為先進封裝產(chǎn)線。相比新建工廠，改造現(xiàn)有廠房可大幅縮短設(shè)備調(diào)試周期。同時，臺積電正積極推進美國亞利桑那州的先進封裝布局，兩座封裝工廠計劃于2030年投入量產(chǎn)，屆時將填補美國本土芯片制造在封裝環(huán)節(jié)的空白。

當日月光宣布其LEAP（先進封裝及測試）業(yè)務(wù)營收從2025年的16億美元翻倍至2026年的32億美元時，市場意識到，OSAT（委外封測代工）已成為先進封裝產(chǎn)能擴張的“第二波動能”。作為臺積電CoWoS產(chǎn)能外溢的主要承接方，日月光的先進封測訂單已處于爆滿狀態(tài)。公司斥資新臺幣178億元（約合人民幣38.3億元）興建楠梓科技第三園區(qū)，這是其近五年在中國臺灣地區(qū)的最大手筆投資。該園區(qū)將建設(shè)智能運籌中心與先進制程測試大樓兩棟建筑，地上8層、地下1層，預(yù)計2026年動工、2028年第二季完工。此外，日月光還計劃在中國臺灣省高雄仁武基地投入逾新臺幣1083億元，一期工程預(yù)計2027年4月投運，二期工程將于同年10月跟進。最近，日月光投控代子公司日月光半導(dǎo)體公告稱，經(jīng)雙方議價，以總價新臺幣148.5億元（未稅，約合人民幣32億元），向面板大廠群創(chuàng)光電取得位于臺南市新市區(qū)新科段的南科Fab 5廠房及相關(guān)附屬設(shè)施，以快速補齊先進封裝產(chǎn)能缺口。

英特爾位于馬來西亞的先進封裝基地及封裝測試產(chǎn)線將于2026年下半年正式投產(chǎn)。2025年底，英特爾馬來西亞“塘鵝計劃”先進封裝基地已進入建設(shè)收尾階段，整體完工率達99%，英特爾還追加2億美元投資用于基地最終落成。該基地將承接芯片晶圓分選、預(yù)處理等工序，同時支持EMIB和Foveros兩種先進封裝工藝，可更快響應(yīng)客戶的產(chǎn)能與技術(shù)需求。與此同時，英特爾正聯(lián)合長期合作的封測代工廠安靠科技，持續(xù)擴大EMIB技術(shù)產(chǎn)能，該技術(shù)已在安靠科技韓國松島K5工廠落地。

半導(dǎo)體OSAT領(lǐng)軍企業(yè)安靠（Amkor）宣布，計劃將2026年資本支出預(yù)算提高至25億-30億美元，優(yōu)先擴大韓國和中國臺灣地區(qū)的先進封裝產(chǎn)能。為滿足客戶對美國本土制造及供應(yīng)鏈多元化的需求，安靠正借助《芯片與科學(xué)法案》補貼及客戶資金，將資本支出推至歷史新高。其中，約65%-70%的投資將用于全球生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)，包括預(yù)計2027年中期竣工的亞利桑那州新工廠一期工程，以及越南、韓國和中國臺灣地區(qū)的生產(chǎn)線擴建；剩余30%-35%將用于購置先進的2.5D和HDFO封裝及測試設(shè)備，相關(guān)投資額預(yù)計同比增長40%。

三星電子計劃在越南北部新建一座總投資額40億美元的芯片封裝工廠，進一步強化其在越南的戰(zhàn)略布局，項目將分階段推進，首期投資20億美元。韓國存儲巨頭SK海力士則宣布，將在韓國忠清北道清州投資約19萬億韓元（約合人民幣900億元）建設(shè)新的芯片封裝工廠，重點服務(wù)AI相關(guān)存儲產(chǎn)品。新工廠將成為清州園區(qū)的重要組成部分，主要承擔(dān)HBM及其他AI存儲產(chǎn)品的先進封裝任務(wù)。項目建成后，SK海力士將形成利川、清州、美國西拉法葉三大先進封裝基地，進一步強化從晶圓制造到封裝測試的垂直整合能力。

中國本土企業(yè)：加速追趕高端封裝賽道

國內(nèi)封測龍頭企業(yè)也正搶抓行業(yè)機遇，加速向高端先進封裝領(lǐng)域突破。

2026 年 1 月，通富微電發(fā)布定增公告，擬募集資金投向存儲芯片、汽車等新興應(yīng)用、晶圓級、高性能計算及通信四大封測領(lǐng)域，同時安排 12.3 億元用于補充流動資金及償還銀行貸款。具體來看，公司計劃投入 8.88 億元提升存儲芯片封測產(chǎn)能，其中擬使用募集資金 8 億元；投入 11.00 億元布局汽車等新興應(yīng)用領(lǐng)域封測產(chǎn)能，擬使用募資 10.55 億元，項目建設(shè)期 3 年，建成后將新增相關(guān)產(chǎn)能 5.04 億塊；投入 7.43 億元建設(shè)晶圓級封測產(chǎn)能提升項目，將新增晶圓級封測產(chǎn)能 31.20 萬片，同時提升廠區(qū)高可靠性車載品封測產(chǎn)能 15.73 億塊；投入 7.24 億元建設(shè)高性能計算及通信領(lǐng)域封測產(chǎn)能提升項目，建成后年新增相關(guān)封測產(chǎn)能 4.80 億塊。

盛合晶微已完成科創(chuàng)板過會，募資總額高達50.28億元，創(chuàng)今年以來A股新股募資之最。募資中48億元將用來擴產(chǎn)2.5D/3D封裝產(chǎn)能，資金投向三維多芯片集成封裝項目（40億元）和超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項目（8億元）。

中芯國際近期全資設(shè)立上海芯三維半導(dǎo)體有限公司，注冊資本達4.32億美元，正式發(fā)力先進封裝領(lǐng)域。此前，中芯國際曾與封測龍頭長電科技合資成立中芯長電（盛合晶微前身），后續(xù)退出相關(guān)股份，專注于前段晶圓代工業(yè)務(wù)。隨著產(chǎn)業(yè)趨勢變化，中芯國際于今年1月底聯(lián)合上下游企業(yè)開展產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同合作，在上海成立先進封裝研究院。此番布局將補齊中芯國際在后段封裝環(huán)節(jié)的短板，實現(xiàn)從制造到封裝的垂直整合，進一步提升產(chǎn)品附加值與客戶黏性。

02

技術(shù)路線之爭：從2.5D到3D，誰將主導(dǎo)未來？

產(chǎn)能軍備競賽的背后，是更為白熱化的技術(shù)路線博弈。2025-2026年，先進封裝產(chǎn)業(yè)正加速從2.5D向3D演進，混合鍵合、玻璃中介層、面板級封裝等前沿技術(shù)，成為各大廠商爭奪的焦點。

CoWoS：當前的絕對主流

當前AI芯片領(lǐng)域已形成HBM+CoWoS的技術(shù)綁定關(guān)系。英偉達H100/H200/GB200、AMD MI300系列、博通AI ASIC等主流產(chǎn)品均采用臺積電CoWoS封裝。英偉達已預(yù)訂臺積電2026年80-85萬片晶圓產(chǎn)能，占據(jù)超50%份額。

技術(shù)演進上，CoWoS正向CoPoS升級。CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）是臺積電（TSMC）推出的新一代先進封裝技術(shù)，被定位為CoWoS的繼任者。該技術(shù)的核心是“化圓為方”，采用玻璃或藍寶石方形載具作為中介層，以矩形面板基板（如310x310mm、750x620mm）替代傳統(tǒng)的圓形硅中介層，旨在提升封裝面積利用率、生產(chǎn)靈活性與可擴展性，并降低成本。臺積電CoPoS（基于基板的面板級芯片封裝）中試生產(chǎn)線已于2月啟動設(shè)備交付，整條產(chǎn)線預(yù)計6月全面建成。量產(chǎn)預(yù)計于2028年底至2029年上半年實現(xiàn)，量產(chǎn)據(jù)點包括嘉義AP7廠與美國亞利桑那州廠，英偉達（NVIDIA）預(yù)計將成為首發(fā)客戶。

混合鍵合：3D封裝的終極技術(shù)

如果說CoWoS是2.5D時代的王者，那么混合鍵合（Hybrid Bonding）則被視為3D封裝的終極技術(shù)。它能將芯片間的互連間距縮小到微米級甚至亞微米級，實現(xiàn)銅對銅的直接原子級貼合，從而大幅提升連接密度和帶寬，降低功耗。

在HBM高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域，混合鍵合已從“技術(shù)選項”變?yōu)椤吧姹匦琛?。三星、美光、SK海力士三大存儲巨頭明確宣布：HBM5 20Hi（20層堆疊），必須采用混合鍵合技術(shù)。東興證券指出，混合鍵合技術(shù)正從先進選項轉(zhuǎn)變?yōu)锳I時代的核心基礎(chǔ)設(shè)施。在存儲領(lǐng)域，HBM5為實現(xiàn)20hi超高堆疊采用此項“無凸塊”技術(shù)以突破物理極限。行業(yè)已進入高速落地期：臺積電等大廠提前擴產(chǎn)，HBM4/5與高端AI芯片將率先規(guī)模應(yīng)用，相關(guān)設(shè)備需求預(yù)計在2030年前實現(xiàn)數(shù)倍增長，標志著該技術(shù)已成為驅(qū)動下一代算力的確定方向。

玻璃中介層：解決翹曲問題的關(guān)鍵

隨著AI芯片尺寸不斷增大，傳統(tǒng)硅中介層的翹曲問題日益嚴重，玻璃基板憑借與硅匹配的熱膨脹系數(shù)、極低介電損耗和超高布線密度，被視為解決這一問題的最佳方案。

2026 年 CES 上，英特爾發(fā)布了業(yè)界首款采用玻璃核心基板大規(guī)模量產(chǎn)的 Xeon 6 + 處理器；蘋果公司也正深化自研 AI 硬件布局，啟動先進玻璃基板測試，用于內(nèi)部代號為 “Baltra” 的 AI 服務(wù)器芯片。為強化供應(yīng)鏈掌控力，蘋果采取 “孤島式” 封閉研發(fā)策略，已直接向三星電機評估采購 T-glass 玻璃基板，而三星電機此前已向博通供應(yīng)玻璃基板樣品，此次與蘋果的合作，標志著其在玻璃基板這一新興業(yè)務(wù)領(lǐng)域的快速拓展。

目前，玻璃中介層技術(shù)正經(jīng)歷從技術(shù)驗證向早期量產(chǎn)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，臺積電 CoPoS 中試生產(chǎn)線的長遠目標，正是用玻璃基板全面取代硅中介層。但玻璃基板并非完美無缺：它解決了翹曲問題，卻引入了脆性缺陷 —— 邊緣輕微磕碰就會產(chǎn)生微裂紋，這類缺陷在早期難以檢測，往往到最終測試階段才會發(fā)現(xiàn)整批產(chǎn)品報廢，造成巨大的經(jīng)濟損失。

03

結(jié)語：先進封裝是決定AI時代的勝負手

先進封裝之戰(zhàn)的本質(zhì)，是算力交付能力的戰(zhàn)爭。當晶體管微縮逼近物理極限，當AI模型參數(shù)突破萬億級，芯片性能的提升已越來越依賴垂直集成與異構(gòu)封裝。2nm制程的晶體管密度固然重要，但若無先進封裝技術(shù)的支撐，AI芯片的算力潛力將無法充分釋放。

2026年將成為產(chǎn)業(yè)分水嶺，在這場大戰(zhàn)中，產(chǎn)能擴張的速度、技術(shù)迭代的精度、供應(yīng)鏈整合的深度，將共同決定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下一階段的權(quán)力分布。而對于中國大陸廠商而言，臺積電高端封裝產(chǎn)能的持續(xù)緊缺，疊加半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化的大趨勢，或許是切入全球高端封裝供應(yīng)鏈的最后戰(zhàn)略機遇。