三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門已明確目標(biāo)，將于2030年前推出1納米半導(dǎo)體工藝。這一被稱為“夢(mèng)幻半導(dǎo)體”的工藝，需采用全新技術(shù)排布尺寸僅相當(dāng)于5個(gè)原子的運(yùn)算元件。此舉旨在與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電展開全面技術(shù)博弈，搶占下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)；同時(shí)，三星還決定在現(xiàn)有頂尖2納米技術(shù)體系下，開發(fā)多款衍生工藝，以穩(wěn)固核心客戶資源。

據(jù)3月30日業(yè)內(nèi)消息，三星電子晶圓代工部門已制定詳細(xì)規(guī)劃，確保2030年前完成1納米半導(dǎo)體工藝的研發(fā)，并順利轉(zhuǎn)入量產(chǎn)階段。1納米技術(shù)之所以被稱為“夢(mèng)幻級(jí)創(chuàng)新工藝”，核心在于其能將半導(dǎo)體芯片內(nèi)負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)處理的元件寬度縮減至1納米——這一尺寸僅為三星當(dāng)前主流頂尖2納米工藝的一半，工藝難度呈指數(shù)級(jí)提升。

除元件微型化突破外，1納米工藝還將引入全新的“Fork Sheet”結(jié)構(gòu)。在此之前，從3納米到2納米工藝，半導(dǎo)體元件均采用環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)制造，該技術(shù)通過將電流傳導(dǎo)路徑從傳統(tǒng)的三面環(huán)繞升級(jí)為四面環(huán)繞，最大限度提升芯片能效。

“Fork Sheet”技術(shù)的核心作用的是縮小環(huán)繞柵極元件之間的間距，其原理類似在環(huán)繞柵極元件之間構(gòu)筑絕緣墻體，形似插入一把餐叉。形象地說，這就如同將村落中房屋間的草坪，替換為厚重的混凝土圍墻：移除草坪可騰出更多空間建造房屋，而該技術(shù)則能在相同芯片面積內(nèi)容納更多運(yùn)算元件，大幅提升芯片集成度。

目前，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)全球市場(chǎng)份額位居第二，與占據(jù)近70%市場(chǎng)份額的臺(tái)積電相比，差距約達(dá)十倍。據(jù)悉，當(dāng)前主導(dǎo)全球晶圓代工市場(chǎng)的臺(tái)積電，同樣計(jì)劃在2030年后于1納米工藝中應(yīng)用“Fork Sheet”技術(shù)。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，三星明確2030年落地1納米工藝的路線圖，意味著其已做好與臺(tái)積電在下一代技術(shù)領(lǐng)域同臺(tái)競(jìng)技的準(zhǔn)備。

自2019年提出“2030年系統(tǒng)半導(dǎo)體全球第一”愿景以來，三星電子始終以先進(jìn)工藝為突破口，全力追趕臺(tái)積電。2019年，三星率先在全球推出7納米極紫外光（EUV）光刻工藝；2022年，又成為全球首家將環(huán)繞柵極（GAA）元件應(yīng)用于3納米工藝的企業(yè)，持續(xù)鞏固技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

一位業(yè)內(nèi)人士表示：“從銷售額和產(chǎn)能來看，三星電子短期內(nèi)超越臺(tái)積電的現(xiàn)實(shí)難度較大，但公司始終在技術(shù)層面保持競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)?！彼M(jìn)一步補(bǔ)充，“去年三星從特斯拉手中拿下價(jià)值165億美元（約合25萬億韓元）的2納米人工智能（AI）芯片供應(yīng)訂單，正是其技術(shù)實(shí)力的直接體現(xiàn)。”

當(dāng)前，三星電子晶圓代工部門正圍繞頂尖2納米技術(shù)，持續(xù)推進(jìn)多款改良工藝的研發(fā)與落地。其中，定制化工藝“SF2T”專為特斯拉2納米“AI6”芯片量產(chǎn)打造，該芯片計(jì)劃于2027年起在三星美國得克薩斯州泰勒新晶圓廠正式投產(chǎn)。

與此同時(shí)，三星也在加速推進(jìn)其他2納米衍生工藝的研發(fā)：今年將啟動(dòng)量產(chǎn)的“SF2P”工藝，將用于三星系統(tǒng)LSI部門新款智能手機(jī)應(yīng)用處理器（AP）的生產(chǎn)；“SF2P+”工藝則計(jì)劃于明年投入使用。半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露：“目前2納米工藝良率已突破60%，產(chǎn)能穩(wěn)步提升，市場(chǎng)對(duì)其今年實(shí)現(xiàn)盈利扭虧的預(yù)期正不斷提高?！?/p>