截至14:33，科創(chuàng)半導體ETF華夏（588170）下跌2.20%，半導體設備ETF華夏（562590）下跌2.29%。

熱門個股方面，華海誠科領跌7.74%，和林微納下跌5.88%，盛美上海下跌5.23%，歐萊新材下跌5.18%，晶升股份下跌4.22%。

流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏盤中換手5.45%，成交4.44億元；半導體設備ETF華夏盤中換手3.32%，成交8181.10萬元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏近3月規(guī)模增長45.64億元，實現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領先同類；半導體設備ETF華夏最新規(guī)模達24.86億元。

份額方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏近2周份額增長4600.00萬份，實現(xiàn)顯著增長，新增份額領先同類。

資金流入方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏最新資金凈流出6090.63萬元。拉長時間看，近5個交易日內有3日資金凈流入，合計“吸金”5471.29萬元，日均凈流入達1094.26萬元；半導體設備ETF華夏最新資金凈流出3497.04萬元。拉長時間看，近18個交易日內有10日資金凈流入，合計“吸金”1.81億元，日均凈流入達1006.70萬元。

消息面上，SEMICON China 2026國際半導體展3月25日在上海正式拉開帷幕。SEMI中國總裁馮莉在致辭時表示，在AI算力以及全球數(shù)字化經(jīng)濟驅動下，全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來了歷史性時刻，原定于2030年才會達到的萬億美元芯時代有望于2026年底提前到來。她指出，2026年半導體產(chǎn)業(yè)的三大趨勢。第一個趨勢：AI算力。2026年全球AI基礎設施支出將達到4500億美元，其中推理算力占比首次超過70%，由此拉動GPU、HBM及高速網(wǎng)絡芯片的強勁需求，而這最終都轉化為對晶圓廠和先進封裝以及設備和材料的強勁需求。第二個趨勢：存儲革命。存儲是AI基礎設施核心戰(zhàn)略資源，全球存儲產(chǎn)值將首次超越晶圓代工，成為半導體第一增長極。2026年HBM市場規(guī)模增長58%至546億美元，占DRAM市場近四成，需求的徒增，導致供需失衡，盡管三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增/可調配產(chǎn)能傾斜至HBM，但HBM產(chǎn)能缺口達50%~60%。第三個趨勢：技術驅動產(chǎn)業(yè)升級。隨著2nm及以下制程逼近物理極限，遭遇量子隧穿與柵極控制難題，GAA架構邊際效益遞減；一座2nm晶圓廠建設成本超250億美元，逼近7nm時代的3倍。先進封裝的戰(zhàn)略位置凸顯，“先進制程+先進封裝”的雙輪驅動，從系統(tǒng)層面推動產(chǎn)業(yè)升級。

國金證券認為，2026年將是中國算力需求從“云端訓練”向“訓練+推理”雙輪驅動轉型的關鍵之年，算力缺口將在更多模態(tài)和更廣場景的催化下，極速釋放。

相關ETF：科創(chuàng)半導體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導體設備主題指數(shù)，其中先進封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導體材料設備主題指數(shù)，其中半導體設備的含量在全市場指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”（設備商）的確定性需求。