我們都知道中國長江存儲(chǔ)公司被美國列入所謂“實(shí)體清單”的事，但最新報(bào)道消息顯示，長江存儲(chǔ)的武漢三期項(xiàng)目，那條承載著“全國產(chǎn)化”使命的生產(chǎn)線，量產(chǎn)時(shí)間表從原計(jì)劃的2027年，悄然提前到了2026年下半年。

個(gè)人認(rèn)為這既是長江存儲(chǔ)的一次漂亮反擊，更是國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片打破三星、SK 海力士、美光三巨頭壟斷的關(guān)鍵一步，這下國產(chǎn)存儲(chǔ)終于能挺直腰桿，在萬億級(jí)市場(chǎng)里分一杯羹了，想想就覺得提氣。

長江存儲(chǔ)2022 年被列入實(shí)體清單后，刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備這些存儲(chǔ)芯片制造的核心設(shè)備，直接想買買不到，壞了還沒人修，就連 232 層 NAND 的量產(chǎn)計(jì)劃都被迫停擺。要知道，存儲(chǔ)芯片不靠光刻機(jī)，就靠刻蝕和沉積設(shè)備把存儲(chǔ)單元一層層堆上去，堆得越高容量越大，而這倆設(shè)備，全球八成以上的市場(chǎng)都被歐美日企業(yè)攥著。

好在國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈的抱團(tuán)能力突如其來的給力。僅僅三年時(shí)間，中微公司和北方華創(chuàng)就扛起了設(shè)備突圍的大旗。中微的成熟款刻蝕設(shè)備早就成了國內(nèi)產(chǎn)線標(biāo)配，長江存儲(chǔ)的量產(chǎn)線一直在用，更先進(jìn)的刻蝕設(shè)備還通過了臺(tái)積電的驗(yàn)證，馬上就要推向市場(chǎng)，就連薄膜沉積設(shè)備也做到了性能對(duì)標(biāo)國際；北方華創(chuàng)也不甘示弱，刻蝕和沉積設(shè)備雙雙突破，穩(wěn)穩(wěn)用在了存儲(chǔ)芯片制造環(huán)節(jié)。

國內(nèi)企業(yè)的硬氣，給長江存儲(chǔ)的全國產(chǎn)線打下了基礎(chǔ)，也讓所有歐美人看到，中國的半導(dǎo)體設(shè)備，不是造不出來，只是缺個(gè)機(jī)會(huì)。

而且長江存儲(chǔ)自己的技術(shù)硬也是真的硬。我了解到，自研的 Xtacking 架構(gòu)堪稱神來之筆，不僅讓長存量產(chǎn)了 232 層 3D NAND，技術(shù)上追平三星、SK 海力士，在存儲(chǔ)密度和讀寫速度上還更勝一籌，更關(guān)鍵的是，這個(gè)架構(gòu)繞開了國外的專利壁壘，甚至反過來讓三星低頭。

據(jù)悉三星的第 10 代 V-NAND 閃存，堆到 420 到 430 層時(shí)，自己的技術(shù)撐不住了，只能采用長江存儲(chǔ)的 Xtacking 架構(gòu)。從過去的技術(shù)跟跑者，變成現(xiàn)在的專利授權(quán)方，這一步跨越，讓國產(chǎn)存儲(chǔ)在全球高端市場(chǎng)有了真正的話語權(quán)。

因此個(gè)人認(rèn)為，這次全國產(chǎn)線提前投產(chǎn)的意義遠(yuǎn)不止長江存儲(chǔ)自己能造芯片那么簡單。

可以說這條產(chǎn)線就是國產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的 “練兵場(chǎng)”，以前國產(chǎn)設(shè)備、材料沒機(jī)會(huì)在大規(guī)模量產(chǎn)線測(cè)試，好不好用全靠實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)，現(xiàn)在有了這條線，國內(nèi)上下游企業(yè)能直接在實(shí)際生產(chǎn)中檢驗(yàn)產(chǎn)品、改進(jìn)技術(shù)，設(shè)備越用越成熟，材料越做越高端，慢慢就能把進(jìn)口的全替下來。據(jù)估算，這條產(chǎn)線能帶動(dòng) 200 家上下游企業(yè)形成產(chǎn)業(yè)集群，一年創(chuàng)造 500 億以上的產(chǎn)值，這是整個(gè)國產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的崛起。

如今全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正迎來漲價(jià)潮，長江存儲(chǔ)此時(shí)釋放全國產(chǎn)產(chǎn)能，恰逢其時(shí)。

對(duì)此大家覺得呢？