英特爾宣布正與軟銀子公司 SAIMEMORY 合作，將 Z 角度存儲(chǔ)（ZAM：Z-Angle Memory ）商業(yè)化。ZAM 是一種先進(jìn)的DRAM 類型，采用垂直堆疊內(nèi)存模塊的方式。雖然 ZAM 芯片預(yù)計(jì)至少在三年內(nèi)不會(huì)面世，但它們最終可能取代當(dāng)前由于 AI 繁榮而需求旺盛的高帶寬存儲(chǔ)（HBM）。

內(nèi)存帶寬目前是 AI 運(yùn)轉(zhuǎn)的主要瓶頸，因?yàn)樾枰趦?nèi)存和 GPU 之間傳輸越來(lái)越大的數(shù)據(jù)塊。像英偉達(dá)和 AMD 這樣的芯片制造商在他們的 GPU 芯片上放置數(shù)百 GB 的HBM，以幫助緩解這一瓶頸。然而，激增的 HBM 需求導(dǎo)致了全球 NAND 供應(yīng)短缺，推高了 RAM 模塊和 NVMe 存儲(chǔ)的價(jià)格，并導(dǎo)致供應(yīng)鏈短缺。

ZAM 是一種可能徹底改變 DRAM 規(guī)則的新型內(nèi)存技術(shù)。與 HBM 類似，ZAM 存儲(chǔ)技術(shù)沿 Z 軸利用垂直堆疊（因此得名 Z 角度）。然而，它承諾以更低的能耗和成本實(shí)現(xiàn) HBM 2-3 倍的容量和更高的帶寬。

英特爾與 SAIMEMORY 的協(xié)議要求兩家公司利用英特爾為下一代 DRAM 啟動(dòng)的鍵合（NGDB）計(jì)劃中開(kāi)發(fā)的基礎(chǔ)技術(shù)和專業(yè)知識(shí)。

NGDB 計(jì)劃是先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)（AMT）項(xiàng)目的一部分，該項(xiàng)目由美國(guó)能源部（DOE）和國(guó)家核安全管理局（NNSA）主導(dǎo)，匯集了英特爾、SK 海力士和軟銀等供應(yīng)商與 DOE 政府實(shí)驗(yàn)室，共同開(kāi)發(fā)新的存儲(chǔ)技術(shù)，包括 ZAM、HBM、計(jì)算快速鏈路（CXL）和非易失性存儲(chǔ)（MRAM，如磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。

NGDB 計(jì)劃目前處于第三年，合作方包括英特爾和"三實(shí)驗(yàn)室"——即美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室。前兩年專注于研發(fā)，第三年將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向產(chǎn)品化。

今年 1 月，桑迪亞實(shí)驗(yàn)室分享了三實(shí)驗(yàn)室在 NGBD 項(xiàng)目中采用"創(chuàng)新堆疊方法"取得的進(jìn)展。具體而言，實(shí)驗(yàn)室展示了如何使用替代的"通孔合一"構(gòu)造將八個(gè)存儲(chǔ)晶圓垂直鍵合到基礎(chǔ)晶圓上。

"英特爾的下一代 DRAM 鍵合計(jì)劃展示了一種創(chuàng)新的存儲(chǔ)架構(gòu)和革命性的組裝方法，顯著提高了 DRAM 性能，降低了功耗，并優(yōu)化了存儲(chǔ)成本。"英特爾政府技術(shù)首席技術(shù)官 Joshua Fryman 在桑迪亞實(shí)驗(yàn)室的進(jìn)展更新中表示，"標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)架構(gòu)無(wú)法滿足 AI 的需求，因此 NGDB 定義了一種全新的方法，加速我們跨越下一個(gè)十年。"

桑迪亞實(shí)驗(yàn)室技術(shù)首席成員 Gwen Voskuilen 表示，英特爾的突破是"一項(xiàng)激動(dòng)人心的技術(shù)，我們預(yù)計(jì)這將促進(jìn)更高帶寬存儲(chǔ)器在當(dāng)前由于容量和功耗限制而無(wú)法利用它的系統(tǒng)中的更廣泛采用。"

"這次演示證明，NGDB 技術(shù)可以結(jié)合產(chǎn)生高性能存儲(chǔ)器，并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制造。"他補(bǔ)充說(shuō)。

據(jù)報(bào)道，軟銀正投資約 30 億日元（按當(dāng)前匯率約 1900 萬(wàn)美元）給 SAIMEMORY，用于與英特爾共同開(kāi)發(fā) ZAM。SAIMEMORY 據(jù)稱預(yù)計(jì)將在 2027 年創(chuàng)建 ZAM 原型，并在2029 年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。如果這一時(shí)間表順利推進(jìn)，將對(duì)下一代 AI 系統(tǒng)產(chǎn)生巨大推動(dòng)作用。然而，這還不夠及時(shí)，無(wú)法緩解當(dāng)前因 HBM 需求激增而導(dǎo)致的存儲(chǔ)供應(yīng)鏈緊張，這種緊張局面預(yù)計(jì)將持續(xù)數(shù)年。

與此同時(shí)，ZAM 計(jì)劃進(jìn)一步強(qiáng)化了美國(guó)和日本之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系。上周，DOE 副科學(xué)部長(zhǎng) Dario Gil 前往日本大阪參加 SCA/HPCAsia 2026 會(huì)議，鞏固了阿貢國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、英偉達(dá)、理研和富士通之間擴(kuò)大的合作伙伴關(guān)系。Gil 負(fù)責(zé)美國(guó)創(chuàng)世紀(jì)計(jì)劃（Genesis Mission），這是通過(guò) AI 加速科學(xué)發(fā)現(xiàn)和工程進(jìn)步的項(xiàng)目。

開(kāi)發(fā)像 ZAM 這樣的新型存儲(chǔ)技術(shù)以替代或增強(qiáng)現(xiàn)有的 HBM，與 Genesis Mission 的目標(biāo)高度一致。