據(jù)近日消息，TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲器產(chǎn)業(yè)研報顯示，受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動，全球存儲器市場供需失衡加劇，2026年第一季度（Q1）DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價格全面大幅上漲，多個細(xì)分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高，且不排除后續(xù)進(jìn)一步上修的可能。
研報指出，此次價格上漲的核心驅(qū)動力來自需求端的爆發(fā)式增長。
隨著AI推理應(yīng)用場景持續(xù)擴(kuò)大，北美、中國各大云端服務(wù)業(yè)者（CSP）、服務(wù)器廠商（Server OEM）對高性能存儲器的備貨需求強(qiáng)烈，而PC整機(jī)2025年第四季度出貨量超預(yù)期，進(jìn)一步加劇了PC DRAM的缺貨態(tài)勢，頭部PC OEM廠商庫存水平持續(xù)下滑。
供給端方面，存儲器原廠更看好DRAM市場的獲利前景，將部分產(chǎn)線轉(zhuǎn)向DRAM生產(chǎn)，導(dǎo)致NAND Flash新增產(chǎn)能被壓縮，僅能通過制程升級勉強(qiáng)提升單位產(chǎn)出，短期產(chǎn)能瓶頸難以緩解，原廠議價能力顯著增強(qiáng)，市場呈現(xiàn)明顯的賣方市場特征。
具體價格漲幅方面，DRAM類產(chǎn)品成為上漲主力。
整體Conventional DRAM合約價季增幅度從1月初預(yù)估的55%-60%上調(diào)至90%-95%；
PC DRAM（DDR4&DDR5混合）價格預(yù)計季增105%-110%，漲幅超一倍，創(chuàng)下歷史新高；
Server DRAM價格季增88%-93%，Mobile DRAM中LPDDR4X、LPDDR5X合約價季增均達(dá)88%-93%，均為歷年最高水平；
高帶寬存儲器（HBM）混合合約價也實現(xiàn)80%-85%的季度增長。
NAND Flash類產(chǎn)品同樣漲幅顯著，整體合約價季增幅度從33%-38%上調(diào)至55%-60%。
值得注意的是，手機(jī)廠商的存儲器采購談判進(jìn)度存在差異。
美系手機(jī)客戶2026年Q1的Mobile DRAM合約價已于2025年底完成議定，而中系手機(jī)客戶受2025年第四季度合約價剛敲定及農(nóng)歷春節(jié)長假影響，相關(guān)談判預(yù)計最快需至2月底才會取得實質(zhì)進(jìn)展。
此次存儲器價格的大幅上漲，將對終端電子設(shè)備生產(chǎn)成本、供應(yīng)鏈備貨策略產(chǎn)生顯著影響。