本周，富士通正式官宣加入軟銀牽頭的下一代AI內(nèi)存開發(fā)項(xiàng)目，將與軟銀、英特爾及東京大學(xué)組成聯(lián)盟，打造“SAIMEMORY新型內(nèi)存”

《日經(jīng)亞洲》報(bào)道稱，此次合作聚焦大型語言模型等復(fù)雜AI計(jì)算需求，旨在突破現(xiàn)有存儲技術(shù)瓶頸，該聯(lián)盟將以三維堆疊DRAM技術(shù)打造高帶寬內(nèi)存（HBM）的直接替代品，研發(fā)兼具高性能與經(jīng)濟(jì)性的存儲器解決方案，為AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供全新選擇。

作為項(xiàng)目核心參與者之一，富士通將自身深耕多年的量子啟發(fā)技術(shù)注入研發(fā)體系，包括張量網(wǎng)絡(luò)模擬器等關(guān)鍵技術(shù)，可有效優(yōu)化深度電路分析效率，為新型內(nèi)存的性能提升提供支撐。

該項(xiàng)目的技術(shù)路線涵蓋多重創(chuàng)新方向，既包括動(dòng)態(tài)存儲器硅梳化等壓縮技術(shù)，也涉及與光子芯片的深度整合及后量子安全增強(qiáng)方案，其中光子芯片在生成式AI任務(wù)中的效能已被證實(shí)遠(yuǎn)超英偉達(dá)傳統(tǒng)硅芯片，成為差異化競爭的核心亮點(diǎn)。

在技術(shù)協(xié)作層面，項(xiàng)目將整合英特爾的垂直堆疊技術(shù)與東京大學(xué)在熱管理、數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域的學(xué)術(shù)成果，原型設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)則攜手新光電氣（富士通曾為其大股東）、力積電推進(jìn)，形成“產(chǎn)學(xué)研用”一體化的研發(fā)閉環(huán)。

可以說，這不僅是富士通重返存儲器領(lǐng)域的關(guān)鍵布局，也是日本近期發(fā)力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭力的重要項(xiàng)目之一。

在這之前，軟銀已經(jīng)投入了不少精力。

從項(xiàng)目規(guī)劃來看，軟銀新成立的Saimemory公司將承擔(dān)總指揮職能，專注于芯片設(shè)計(jì)、知識產(chǎn)權(quán)管理等核心環(huán)節(jié)，生產(chǎn)制造則采用外包模式以控制成本，這種輕資產(chǎn)運(yùn)營策略既避開了巨額制造投資，又能聚焦技術(shù)創(chuàng)新。

資金方面，項(xiàng)目計(jì)劃到2027財(cái)年完成80億日元（約合3.59億元人民幣）總投資，其中軟銀出資30億日元，富士通與日本理化學(xué)研究所（理研）合計(jì)出資10億日元，后續(xù)還將申請日本政府資金支持，整體投資規(guī)模預(yù)計(jì)最終達(dá)100億日元（約合5億元人民幣）。

按照時(shí)間表，該將在兩年內(nèi)完成原型樣品開發(fā)，評估量產(chǎn)可行性后，力爭在21世紀(jì)20年代實(shí)現(xiàn)商業(yè)化落地，軟銀也計(jì)劃將該新型內(nèi)存優(yōu)先應(yīng)用于自身AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)中心，以更低成本構(gòu)建高效能數(shù)據(jù)處理體系。

關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的讀者應(yīng)該熟悉近期內(nèi)存市場的漲價(jià)潮。當(dāng)前HBM作為AI設(shè)備的核心組件，雖具備高帶寬、低延遲優(yōu)勢，但存在功耗高、成本高的短板，且供應(yīng)持續(xù)緊張——行業(yè)龍頭SK海力士未來兩年的HBM產(chǎn)能已全部售罄，而美國咨詢公司BCG預(yù)測，2023至2027年間AI相關(guān)服務(wù)器出貨量將增長六倍，DRAM出貨量年均增速達(dá)21%，HBM使用量的攀升進(jìn)一步加劇了市場缺口。

Saimemory項(xiàng)目自然瞄準(zhǔn)這一痛點(diǎn)，目標(biāo)以與HBM相當(dāng)或更低的價(jià)格，實(shí)現(xiàn)2-3倍的容量提升和50%的功耗降低，憑借差異化優(yōu)勢打破現(xiàn)有市場格局。

比起韓國兩大存儲大廠以及后來崛起的中國存儲企業(yè)，日本在存儲業(yè)務(wù)這塊可謂毫無競爭力。

早些年富士通曾涉足DRAM業(yè)務(wù)，后為規(guī)避市場競爭轉(zhuǎn)向?qū)Ｓ眯酒I(lǐng)域，而爾必達(dá)等日本同行在三星等韓企的價(jià)格戰(zhàn)沖擊下逐步衰落，2013年?duì)柋剡_(dá)被美光收購，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也從80年代占據(jù)全球半壁江山的輝煌，滑落至2023年無一家企業(yè)躋身全球前十的困境。

雖然不賣產(chǎn)品，不過日本也并沒有完全退出存儲賽道，而是掌控了半導(dǎo)體設(shè)備、材料等供應(yīng)鏈，從信越化學(xué)的硅晶圓到JSR的光刻膠，日本企業(yè)始終占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)。也正因于此，Saimemory內(nèi)存也是具備一定的競爭力。

盡管前景可期，項(xiàng)目仍面臨多重考驗(yàn)：三維堆疊DRAM技術(shù)的量產(chǎn)穩(wěn)定性、成本控制能力、市場接受度等均需時(shí)間驗(yàn)證，而韓國企業(yè)在HBM市場占據(jù)90%份額，技術(shù)路徑的顛覆式創(chuàng)新能否打破現(xiàn)有壟斷尚未可知。

從產(chǎn)業(yè)格局來看，這場由軟銀牽頭、跨越多機(jī)構(gòu)的合作，不僅是對HBM技術(shù)的挑戰(zhàn)，更是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試圖借AI浪潮重返全球核心競爭圈的重要探索，其商業(yè)化進(jìn)展將持續(xù)影響全球AI存儲市場的格局演變。

本文作者：jh

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