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中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局擔(dān)心臺(tái)積電進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)會(huì)削弱中國(guó)臺(tái)灣在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，因此正在考慮制定一項(xiàng)新的出口規(guī)則，僅允許這家全球最大的晶圓代工廠出口落后其領(lǐng)先生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)兩代的技術(shù)。如果這項(xiàng)政策實(shí)施，可能會(huì)減緩臺(tái)積電在美國(guó)的擴(kuò)張步伐，因?yàn)樵摴灸壳罢e極在美國(guó)建設(shè)先進(jìn)的晶圓廠。

這項(xiàng)新出口政策的核心是“N-2”規(guī)則，該規(guī)則僅允許在海外部署落后中國(guó)臺(tái)灣領(lǐng)先技術(shù)兩代的工藝技術(shù)。此前，中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局一直堅(jiān)持“N-1”規(guī)則，允許臺(tái)積電出口所有落后領(lǐng)先制造工藝至少一代的技術(shù)。新的框架則更為嚴(yán)格。根據(jù)不同的技術(shù)世代劃分標(biāo)準(zhǔn)，臺(tái)積電可能只能出口比其最先進(jìn)技術(shù)落后2~4年的制程節(jié)點(diǎn)。

中國(guó)臺(tái)灣科技委員會(huì)成員林法正表示，按照這種劃分方式，如果臺(tái)積電在島內(nèi)研發(fā)出1.2nm或1.4nm級(jí)別的制程工藝，那么只能允許1.6nm級(jí)別及以上的工藝產(chǎn)品才能出口到海外。

目前，臺(tái)積電亞利桑那州Fab 21一期工廠能夠生產(chǎn)N4/N5制程節(jié)點(diǎn)（4nm/5nm，屬于同一代）的芯片。在國(guó)內(nèi)，臺(tái)積電擁有多座已全面投產(chǎn)的晶圓廠，具備3nm級(jí)別制程能力（N3B、N3E、N3P等），并且即將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)N2制程節(jié)點(diǎn)（2nm）的芯片。從形式上看，臺(tái)積電的Fab 21一期工廠已經(jīng)符合“N-2”規(guī)則。然而，一旦臺(tái)積電于2027年在Fab 21二期開(kāi)始生產(chǎn)3nm工藝芯片，該工廠將不再符合“N-2”規(guī)則，因?yàn)镹3工藝在技術(shù)上僅比N2/N2P/A16工藝落后一代。盡管A16（1.6nm）工藝是帶有背面供電網(wǎng)絡(luò)的N2P（增強(qiáng)版2nm）工藝，但如果將A16工藝視為全新一代工藝，那么Fab 21二期將符合新的高科技出口框架。

林先生還強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的大部分研發(fā)人員仍然留在中國(guó)臺(tái)灣，并指出公司的研發(fā)布局符合要求。實(shí)際上，這種工程師和科學(xué)家的集中化確保了未來(lái)的工藝開(kāi)發(fā)能夠扎根于中國(guó)臺(tái)灣，即使公司在海外建設(shè)產(chǎn)能和研發(fā)中心。林先生還強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體行業(yè)所有合格人員都受到監(jiān)管，這使得知識(shí)產(chǎn)權(quán)和硬件的保護(hù)范圍擴(kuò)展到人力資本。

此外，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門(mén)工業(yè)發(fā)展局副局長(zhǎng)鄒宇新表示，臺(tái)積電未來(lái)在美國(guó)的任何投資都將根據(jù)現(xiàn)行法律進(jìn)行審查，超過(guò)一定門(mén)檻的項(xiàng)目必須由中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門(mén)投資委員會(huì)進(jìn)行審查。

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