本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

到2025年，HBM單位存儲(chǔ)容量的價(jià)格將上漲21%。

全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)技術(shù)盛會(huì)——未來(lái)存儲(chǔ)大會(huì)（FMS）于2025年8月5日至7日（美國(guó)時(shí)間）在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉舉行。FMS內(nèi)容包括主題演講、專題講座、展覽等。近日，F(xiàn)MS官方網(wǎng)站已發(fā)布了主題演講視頻和全體會(huì)議報(bào)告的幻燈片。本文將提供市場(chǎng)研究公司TrendForce分析師Ellie Wang的演講概要。

Ellie Wang的演講題目是“人工智能增長(zhǎng)將如何推動(dòng)2025年后的人腦模型需求：塑造產(chǎn)品演進(jìn)和動(dòng)態(tài)”。Wang將人腦模型市場(chǎng)分為三個(gè)方面進(jìn)行解釋：“供應(yīng)趨勢(shì)”、“需求趨勢(shì)”以及“平均售價(jià)（ASP）和收入趨勢(shì)”。

SK海力士計(jì)劃在2026年前大幅提升HBM產(chǎn)能

首先，來(lái)看一下供應(yīng)趨勢(shì)。構(gòu)成 HBM 的硅芯片具有一種稱為硅通孔 (TSV) 的特性。除 HBM 之外的其他 DRAM 硅芯片，例如 DDR 系統(tǒng)，則沒有 TSV。因此，TrendForce 將帶有 TSV 工藝的晶圓的加工能力（月產(chǎn)量）視為 HBM 的產(chǎn)能。

預(yù)計(jì)到2025年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產(chǎn)量）分別為：三星電子65.5萬(wàn)片，SK海力士54.5萬(wàn)片，美光科技34萬(wàn)片。其中，采用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產(chǎn)量）預(yù)計(jì)分別為：三星15萬(wàn)片，占DRAM總產(chǎn)量的23%；SK海力士15萬(wàn)片，占28%；美光5.5萬(wàn)片，占16%。

主要DRAM供應(yīng)商的DRAM晶圓加工能力（月產(chǎn)量，單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產(chǎn)量，單位：千片）。所有數(shù)據(jù)截至年底。來(lái)源：2025年FMS會(huì)議論文集，TrendForce

預(yù)計(jì)到2026年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產(chǎn)量）分別為：三星67萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)1.5萬(wàn)片；SK海力士 60萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)5.5萬(wàn)片；美光36萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)2萬(wàn)片。其中，SK海力士的產(chǎn)能增長(zhǎng)尤為顯著。

預(yù)計(jì)到2026年底，三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產(chǎn)量）將與去年持平，為15萬(wàn)片；SK海力士的產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)5萬(wàn)片，達(dá)到20萬(wàn)片；美光的產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)4.5萬(wàn)片，達(dá)到10萬(wàn)片。盡管SK海力士和美光都在積極擴(kuò)張產(chǎn)能，但三星的擴(kuò)張步伐卻顯得較為謹(jǐn)慎，這一點(diǎn)值得關(guān)注。

仔細(xì)分析可知，SK海力士DRAM產(chǎn)能增幅的90%以上將用于HBM。美光HBM產(chǎn)能增幅（4.5萬(wàn)片晶圓）甚至超過(guò)了其DRAM整體產(chǎn)能增幅（2萬(wàn)片晶圓），這造成了一種“不尋?！钡木置妗＿@表明該公司正在調(diào)整生產(chǎn)線配置，優(yōu)先生產(chǎn)HBM。

當(dāng)前，面向高端大規(guī)模算力場(chǎng)景的GPU（即標(biāo)準(zhǔn) AI 處理器），普遍采用HBM 模塊與主芯片共封裝技術(shù)路線；其產(chǎn)品形態(tài)以 “GPU 芯片 + HBM 內(nèi)存模塊” 集成方案對(duì)外交付。HBM的核心應(yīng)用群體，聚焦于GPU廠商及 AI 處理器（模塊）廠商兩大陣營(yíng)。

DRAM行業(yè)共識(shí)顯示，HBM的核心需求方為NVIDIA與AMD兩大GPU廠商，其中NVIDIA是商用數(shù)據(jù)中心AI加速芯片的領(lǐng)先供應(yīng)商，AMD亦為HBM的主要采購(gòu)方。演講者展示了兩家企業(yè)數(shù)據(jù)中心級(jí)AI加速芯片及其配套HBM規(guī)格的公開季度路線圖，涵蓋DRAM堆疊層數(shù)、單模塊容量、芯片搭載模塊數(shù)量及總內(nèi)存容量等關(guān)鍵指標(biāo)。

2024年上半年，NVIDIA數(shù)據(jù)中心AI加速芯片的HBM總?cè)萘繀^(qū)間將達(dá) 80GB—144GB，標(biāo)配HBM3E 世代模塊，單模塊容量為16GB 或24GB，均基于 8 層DRAM芯片堆疊工藝實(shí)現(xiàn)。到 2025 年下半年，HBM3E 世代將推出 36GB 規(guī)格的升級(jí)模塊，采用8層 ×4.5GB DRAM 裸片的工藝方案；搭載該模塊的 AI 加速芯片總內(nèi)存容量上限將達(dá) 288GB，較 2024 年上半年的 144GB 上限實(shí)現(xiàn)翻倍。

2026年，搭載 HBM4 世代模塊的 AI 加速芯片將正式量產(chǎn)出貨。相較于 HBM3E，HBM4 的 DRAM 堆疊層數(shù)仍為 8 層，單模塊容量升級(jí)至 48GB（8 層 ×6GB 裸片），同時(shí)數(shù)據(jù)傳輸速率較 HBM3E 提升超 50%，成為新一代 AI 芯片的核心性能增量點(diǎn)。

NVIDIA 和 AMD AI 芯片及 HBM 規(guī)格路線圖（2024 年第一季度至 2026 年第四季度）。來(lái)源：2025 年 FMS 會(huì)議論文集，TrendForce

2024年上半年，AMD AI芯片搭載的HBM內(nèi)存方案為：128GB（HBM2E，16GB 單模塊 ×8 層堆疊）與192GB（HBM3，24GB 單模塊 ×8 層堆疊）；2024年下半年單卡升級(jí)為288GB HBM3E（36GB 單模塊 ×8 層堆疊）。2025年延續(xù)288GB HBM3E配置，進(jìn)一步優(yōu)化帶寬至8TB/s。2026年將升級(jí)為432GB HBM4（單模塊容量提升，配合12 層堆疊），內(nèi)存帶寬達(dá)19.6TB/s，滿足大規(guī)模AI訓(xùn)練與分布式推理需求。

到2025年，HBM單位存儲(chǔ)容量的價(jià)格將上漲21%

平均售價(jià)（ASP）是指HBM模塊每千兆比特的價(jià)格。HBM價(jià)格談判每年進(jìn)行一次。2022年的平均售價(jià)為1.40美元，2023年略微下降至1.38美元，2024年回升至1.49美元。該年的價(jià)格上漲歸因于HBM3E一代產(chǎn)品出貨率的提高。

平均售價(jià) (ASP) 趨勢(shì) (2022-2025)。來(lái)源：2025 年 FMS 會(huì)議論文集，TrendForce

預(yù)計(jì)到2025年，平均售價(jià)將大幅上漲至1.80美元。隨著12 層HBM3E芯片開始量產(chǎn)，該芯片的比例將進(jìn)一步增加，從而推高價(jià)格。

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