光刻機(jī)，絕對是最牽動網(wǎng)友們心的半導(dǎo)體設(shè)備了。

原因是國產(chǎn)光刻機(jī)，離全球頂尖水平差太遠(yuǎn)了，應(yīng)該有10年的差距，這個應(yīng)該是差不多的，甚至差距會更大。

更重要的是，美國卡住高端光刻機(jī)，比如EUV光刻機(jī)，高端的浸潤式DUV光刻機(jī)，不準(zhǔn)ASML賣給中國，免得中國芯片制造產(chǎn)業(yè)追上來。

而沒有EUV，幾乎就無法進(jìn)入7nm以下，雖然很多人說，使用浸潤式DUV也可行，但我們也沒有高端的浸潤式DUV，按照ASML的說法，賣給我們的，是落后8代的，相當(dāng)于2013年的水平，你說用這種浸潤式DUV，能行么，就算行，良率會高么？

所以研發(fā)出自己的EUV，是大家共同的心愿。

所以最近有媒體報道稱，日本DNP(日本印刷株式會社)宣布研發(fā)出了線寬10nm的NIL納米壓印機(jī)時，網(wǎng)友們很郁悶。

因為很多人說，線寬10nm的NIL納米壓印機(jī)，可以制造1.4nm的芯片，這個比ASML現(xiàn)在的EUV還先進(jìn)了。

所以很多人稱，我們要學(xué)習(xí)日本，為何它們能夠彎道超車，不采用EUV技術(shù)，制造出1.4nm的光刻機(jī)，我們?yōu)楹尾恍?，我們也可以去研究NIL技術(shù)。

但說實話，我們真不能去學(xué)日本，搞NIL，當(dāng)然也不是不能搞，而不是將寶押在NIL技術(shù)上，還是得去搞EUV。

為何這么說？

NIL的技術(shù)，相當(dāng)蓋章，先雕刻一個芯片線路圖的章子，然后再將這個章子蓋到制造芯片的硅晶圓上，圖案就留了下來，這就是NIL的原理。

這種方式效率非常低，一臺NIL連一臺EUV光刻機(jī)的百分之一的效率都沒有。幾乎就無法用于大規(guī)模的芯片制造。

其次，雕刻這個章子的大小精細(xì)程度，需要與芯片線路圖是1:1的，難度大，門檻高，復(fù)雜一點芯片，不可能雕出來，并且多層電路時，需要雕多個章子，面臨著對準(zhǔn)的大問題，同時一個這樣的章子，蓋50次就得報廢，要重新雕，所以速度也慢。

所以說，這種NIL技術(shù)，只能用于簡單的，線路圖非常簡潔的芯片，復(fù)雜的邏輯芯片就別想了，同時還不能大規(guī)模用來制造芯片，只能是小批量的，試驗性的制造一些，這也是為何佳能早就有了NIL，但沒人買單的原因。

所以，我們還真不能學(xué)日本，可以去嘗試，但不是說有了這個NIL，就放棄EUV了，EUV才是大規(guī)模制造復(fù)雜的邏輯芯片必不可少的，NIL是替代不了的。

事實上，目前國內(nèi)在NIL上也有突破的，之前璞璘科技就官宣了首臺PL-SR系列噴墨步進(jìn)式納米壓印設(shè)備，已經(jīng)交付給客戶了，這臺NIL設(shè)備，線寬＜10nm ，且是量產(chǎn)的設(shè)備了，這個線寬也小于10nm，為何沒人吹呢，反而日本的設(shè)備被國內(nèi)網(wǎng)友吹上了，唉，真是的。