2025年12月18日，SK海力士（SK hynix）宣布，該公司成為業(yè)界首家通過英特爾數(shù)據(jù)中心認(rèn)證流程的公司，其基于第五代10納米級（1b）的32Gb DRAM的256GB DDR5 RDIMM服務(wù)器內(nèi)存已正式獲得英特爾至強(qiáng)6處理器平臺的認(rèn)證。

注：RDIMM的英文全稱為“Registered Dual In-line Memory Module”，這是一種專為服務(wù)器和工作站設(shè)計的DRAM模塊，內(nèi)置寄存器（或緩沖芯片），用于在內(nèi)存控制器與DRAM芯片之間中繼地址和命令信號，從而提升系統(tǒng)穩(wěn)定性和支持更高容量。

SK海力士表示，該256GB DDR5 RDIMM已通過英特爾高級數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室的全面測試與嚴(yán)格驗證，成為業(yè)界首款經(jīng)證實能與英特爾至強(qiáng)處理器無縫協(xié)作、提供可靠性能、卓越兼容性和高質(zhì)量的服務(wù)器內(nèi)存模塊進(jìn)一步鞏固了其在高容量DDR5內(nèi)存模塊領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

在AI驅(qū)動的新型基礎(chǔ)設(shè)施時代，內(nèi)存已成為系統(tǒng)性能的關(guān)鍵瓶頸。隨著AI推理模型從簡單響應(yīng)生成演進(jìn)到復(fù)雜邏輯處理，需實時處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長。高容量、高性能內(nèi)存因此成為不可或缺的核心組件，推動相關(guān)市場需求迅猛上升。

SK 海力士表示，其最新256GB DDR5 RDIMM將是應(yīng)對這一需求的理想解決方案。與采用32Gb芯片的128GB模塊相比，搭載新模塊的服務(wù)器在AI推理性能上可提升約16%。同時，得益于32Gb 1b DRAM芯片的先進(jìn)制程，該產(chǎn)品相較基于16Gb 1a DRAM的上一代256GB模塊，功耗降低約18%，顯著提升了電源效率和每瓦性能。

SK 海力士DRAM產(chǎn)品規(guī)劃與支持部門負(fù)責(zé)人李相權(quán)表示：

“我們能夠更快響應(yīng)客戶需求，進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器DDR5 DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。作為全棧AI內(nèi)存提供商，我們將持續(xù)滿足市場對高性能、低功耗和高容量內(nèi)存的迫切需求，不斷提升客戶滿意度?！?/p>

英特爾數(shù)據(jù)中心集團(tuán)平臺架構(gòu)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：

“這一里程碑體現(xiàn)了英特爾與SK海力士在協(xié)作工程領(lǐng)域的深度合作，彰顯了雙方共同推動內(nèi)存技術(shù)進(jìn)步的承諾。高容量內(nèi)存模塊完美契合AI應(yīng)用對海量容量工作負(fù)載的需求，幫助客戶在數(shù)據(jù)中心運營中釋放更高性能與效率潛力?！?/p>

此次SK海力士256GB DDR5 RDIMM獲得英特爾至強(qiáng)6平臺認(rèn)證，標(biāo)志著高容量、高性能服務(wù)器內(nèi)存正式邁入AI驅(qū)動的新階段。它不僅解決了AI推理等復(fù)雜負(fù)載中日益嚴(yán)峻的“內(nèi)存墻”瓶頸，更通過容量、性能與能效的同步突破，為數(shù)據(jù)中心提供了至關(guān)重要的基礎(chǔ)設(shè)施支撐。

這一成就背后，是產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新的典范。SK海力士的尖端1b制程32Gb DRAM芯片，與英特爾至強(qiáng)處理器平臺經(jīng)過深度協(xié)作與嚴(yán)格驗證，實現(xiàn)了無縫集成。這不僅是產(chǎn)品的認(rèn)證，更是雙方共同推動計算架構(gòu)演進(jìn)、響應(yīng)AI時代實時海量數(shù)據(jù)處理需求的堅定承諾。

展望未來，隨著AI模型復(fù)雜度的持續(xù)提升，內(nèi)存將繼續(xù)扮演性能決定者的角色。SK海力士以“全棧AI內(nèi)存提供商”的定位持續(xù)引領(lǐng)，其技術(shù)路線不僅著眼于容量提升，更致力于優(yōu)化每瓦性能與系統(tǒng)總擁有成本。此次認(rèn)證通過，為下一代數(shù)據(jù)中心與AI基礎(chǔ)設(shè)施奠定了可靠基石，加速智能算力向更高效率與更大規(guī)模演進(jìn)。

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