先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠創(chuàng)意電子今（2日）宣布成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的投片。該芯片采用臺(tái)積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

創(chuàng)意表示，HBM4 IP支持高達(dá)12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。通過創(chuàng)新的中介層（interposer）布局設(shè)計(jì)，優(yōu)化了信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI），確保HBM4在各類CoWoS技術(shù)下皆能穩(wěn)定運(yùn)行于高速模式。相較于HBM3，HBM4 PHY實(shí)現(xiàn)了2.5倍的帶寬提升，并將功耗效率提升1.5倍，面積效率提升2倍。

創(chuàng)意指出，將延續(xù)與proteanTecs在HBM、Glink與UCIe IP的技術(shù)合作，HBM4 IP也集成了proteanTecs的互聯(lián)監(jiān)測(cè)解決方案，提供HBM連接信號(hào)的可觀測(cè)性與電氣特性分析，進(jìn)一步提升終端產(chǎn)品的實(shí)際運(yùn)行性能與可靠度。

創(chuàng)意進(jìn)一步指出，這項(xiàng)里程碑進(jìn)一步強(qiáng)化在先進(jìn)IP領(lǐng)域的完整布局，將HBM4納入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列，共同構(gòu)成完整的2.5D與3D解決方案，為客戶提供強(qiáng)大支持，以應(yīng)對(duì)AI、高性能計(jì)算（HPC）等最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用需求。

創(chuàng)意總經(jīng)理戴尚義強(qiáng)調(diào)，很自豪成為全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器與PHY IP的公司。將持續(xù)致力于提供業(yè)界領(lǐng)先的2.5D/3D IP與服務(wù)。通過集成HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供全面性的解決方案，以滿足市場(chǎng)不斷演進(jìn)的需求。

（首圖來源：科技新報(bào)）

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