近日，韓國(guó)首爾中央地方法院就一起震動(dòng)全球半導(dǎo)體行業(yè)的“商業(yè)竊密案”作出一審判決，56歲的三星前工程師全某因向中國(guó)某存儲(chǔ)芯片企業(yè)泄露核心技術(shù)，違反韓國(guó)《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護(hù)法》，被判處7年有期徒刑。

早在2025年12月，韓國(guó)檢方曾對(duì)10名三星前員工集體提起公訴，指控他們涉嫌向中國(guó)某存儲(chǔ)企業(yè)泄露關(guān)鍵芯片制造知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

法院審理查明，全某在三星10nm級(jí)DRAM技術(shù)研發(fā)周期內(nèi)離職，隨后入職對(duì)手公司，通過手寫筆記的方式，竊取并傳遞了超過600項(xiàng)DRAM制造的詳細(xì)工藝步驟，核心涉及三星耗時(shí)五年、投入1.6萬億韓元（約合10.8億美元）研發(fā)的10nm級(jí)DRAM全套技術(shù)數(shù)據(jù)。

法院明確認(rèn)定，涉案技術(shù)屬于韓國(guó)“核心國(guó)家技術(shù)”，其泄露行為給韓國(guó)帶來了潛在萬億韓元級(jí)別的經(jīng)濟(jì)損失，同時(shí)幫助中國(guó)對(duì)手企業(yè)獲得了顯著的技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，使其10nm級(jí)HBM2內(nèi)存產(chǎn)品的亮相時(shí)間遠(yuǎn)超行業(yè)預(yù)期。

檢方指出，在先進(jìn)光刻機(jī)獲取受限的背景下，該企業(yè)的技術(shù)躍遷速度完全超出常規(guī)發(fā)展節(jié)奏，顯然是三星核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)推動(dòng)的直接結(jié)果。

檢方指控顯示，全某通過此次技術(shù)泄露獲得了豐厚回報(bào)，累計(jì)拿到29億韓元（約合200萬美元）的資金，外加對(duì)手公司的股票期權(quán)及其他合同約定的激勵(lì)權(quán)益。不過法院在最終量刑時(shí)，將全某案發(fā)時(shí)在三星的薪酬偏低情況列為了減刑考量因素。

當(dāng)下，隨著AI算力需求爆發(fā)，三星、SK海力士、美光等主流DRAM廠商紛紛集中產(chǎn)能優(yōu)先生產(chǎn)AI加速器所需的HBM產(chǎn)品，導(dǎo)致通用內(nèi)存出現(xiàn)明顯供應(yīng)缺口，價(jià)格持續(xù)上漲。

在全球芯片技術(shù)發(fā)展最緊要的關(guān)口，韓國(guó)的這個(gè)判決還是太輕了。