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構(gòu)建自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系——“十五五”期間對中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思考與建議

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原文發(fā)表于《科技導報》2026 年第3 期 《 構(gòu)建自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系——“十五五”期間對中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思考與建議 》

集成電路是現(xiàn)代信息社會的核心基石,對經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展、國家安全和產(chǎn)業(yè)升級具有極其重要的戰(zhàn)略意義?!犊萍紝蟆费埍本┐髮W王陽元院士等撰寫文章,立足世界經(jīng)濟 50 年長波周期演進規(guī)律,聚焦第 5 個長波周期核心引擎——集成電路產(chǎn)業(yè),系統(tǒng)梳理了中國集成電路產(chǎn)業(yè)從“六五”至“十四五”的發(fā)展歷程、產(chǎn)業(yè)體系現(xiàn)狀及全球競爭格局。通過分析電子設(shè)計自動化(electronic design automation,EDA)、設(shè)計、制造、封測、設(shè)備、材料、存儲器等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的發(fā)展成果,明確中國在國家安全領(lǐng)域芯片自主化等方面的突破,以及多家企業(yè)躋身全球相關(guān)領(lǐng)域前 10 位的階段性成就。同時,深入剖析了產(chǎn)業(yè)存在的“小散弱”同質(zhì)化內(nèi)卷、上下游容錯試錯機制缺失、數(shù)據(jù)統(tǒng)計與產(chǎn)業(yè)標準不健全、“舉國之力”轉(zhuǎn)化不足等問題,并結(jié)合后摩爾時代集成電路向延續(xù)摩爾、拓展摩爾、超越摩爾、豐富摩爾的發(fā)展趨勢,提出“十五五”期間要打造頭部企業(yè)、完善協(xié)同機制、加大精準投資、強化基礎(chǔ)研究、深化國際合作、優(yōu)化人才培養(yǎng)。

1 世界經(jīng)濟 50 年長波周期的演進

經(jīng)濟學研究表明,世界經(jīng)濟的發(fā)展存在一個以 50 年為長波周期的變化規(guī)律,稱為“康德拉耶夫周期”。18 世紀末到 19 世紀中葉為第 1 個長波周期,以蒸汽機帶動的紡織工業(yè)為驅(qū)動器;19 世紀中葉到 19 世紀末期為第 2 個長波周期,美國利用鋼鐵產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了大國崛起;19 世紀末到 20 世紀中期為第 3 個長波周期,美國利用電力和石化產(chǎn)業(yè)獲得了經(jīng)濟強國地位;20 世紀中期到 20 世紀末期為第 4 個周期,日本以汽車產(chǎn)業(yè)為推進器實現(xiàn)了經(jīng)濟騰飛。人類社會從 20 世紀末期開始進入信息時代,信息產(chǎn)業(yè)成為第 5 個長波周期推動生產(chǎn)力發(fā)展和社會進步的引擎(圖 1)。


圖1 中國、美國、日本歷年 GDP 占世界 GDP 的比例

(數(shù)據(jù)來源:《世界經(jīng)濟千年史》(公元 0 年—1950 年 GDP,貨幣單位 1990 國際元),世界銀行(1960 年至今 GDP,現(xiàn)價美元))

圖 1 表明,1820 年,中國以農(nóng)業(yè)和手工業(yè)為經(jīng)濟主體的國內(nèi)生產(chǎn)總值(gross domestic product,GDP)占世界總量 32.92%;但在 1840 年以后,沒有跟上時代前進的步伐,成為了列強刀俎之上任人宰割的魚肉。得益于在改革開放環(huán)境中信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,從 20 世紀末起,中國 GDP 在世界總量中的占比開始緩步上升; 2005 年起,中國的 GDP 開始加速發(fā)展;2009 年,中國 GDP 總量超過了日本,成為了世界第二大經(jīng)濟體。

2024 年,世界、中國、美國的 GDP 分別為 111.33萬億、18.74 萬億和 29.18 萬億美元(世界銀行數(shù)據(jù),名義 GDP,現(xiàn)價美元 ),中國和美國分別占世界 GDP 總量的 16.84% 和 26.21%。

從 2025 年起,假定世界、中國和美國的年均 GDP 增長率分別按 2.5%、5.5% 和 2.2%,且不考慮匯率變化進行簡單測算,到 2035 年,中國和美國的 GDP 將分別達到 33.8 萬億和 37.1 萬億美元,分別占世界 GDP 總量的 23.12% 和 25.38%。當然,在考慮到美債危機、通脹壓力、匯率變化、新質(zhì)生產(chǎn)力推動等不可預知因素的情況下,到 2035 年,中國 GDP 總量也存在和美國比肩,甚至超越的可能性。

若 2025—2035 年中國 GDP 年增長率按 5.5%、其后按 5% 簡單測算,到第 5 個長波經(jīng)濟周期末,即中華人民共和國成立 100 周年的 2049 年,中國將占世界 GDP 總量的 32.40%,與 1820 年的 32.92% 基本相當,如圖 1 所示。

之所以預測在“十六五”末的 2035 年,中國的經(jīng)濟體量有可能與美國相當甚至超越(依據(jù)高盛集團、國際貨幣基金組織主流模型預測),源于我們的底氣。國家發(fā)展和改革委員會主任鄭柵潔發(fā)布“十四五”期間的數(shù)據(jù)表明:中國經(jīng)濟增速平均為 5.5%,對世界經(jīng)濟增長的貢獻率保持在 30% 左右;內(nèi)需對經(jīng)濟增長的平均貢獻率為 86.4%,最終消費對經(jīng)濟增長的平均貢獻率達到 56.2%;中國鋼鐵產(chǎn)量連續(xù) 28 年穩(wěn)居世界之首,連續(xù) 15 年穩(wěn)坐全球制造業(yè)“頭把交椅”,200 多種主要工業(yè)品產(chǎn)量居世界第 1 位;2024 年研發(fā)支出占 GDP 的比例達到 2.68%,接近經(jīng)濟合作與發(fā)展組織(Organisation for Economic Co-operation and Development,OECD)國家的平均水平;2024 年,集成電路年產(chǎn)量比“十三五”末增長 72.6%;同時,中國還是第一貨物貿(mào)易大國、第一外匯儲備大國、第一能源生產(chǎn)大國、第一人力資源大國。另據(jù)世界銀行、國際貨幣基金組織(International Monetary Fund,IMF)以購買力平價(purchase power parity,PPP)法測算 GDP,中國經(jīng)濟總量在 2016 年已追平美國。2024 年,中國的 PPP GDP 為 38.19 萬億國際元(PPP 比較中用于統(tǒng)一轉(zhuǎn)換各國貨幣的虛擬單位),美國為 29.18 萬億國際元,中國是美國的 134%。中國已成為世界發(fā)展最穩(wěn)定、最可靠、最積極的力量。

當今中國正面臨世界百年未有之大變局。對中國而言的“好時代”是,中國正在崛起,正走在由“富起來”邁向“強起來”的康莊大道。根據(jù)聯(lián)合國工業(yè)發(fā)展組織(United Nations Industrial Development Organization,UNIDO)2024 年 10 月發(fā)布的《工業(yè)化的未來》報告,中國的制造業(yè)產(chǎn)值已占全球總量的 35%。作為世界第二大經(jīng)濟體的中國,在“小院高墻”“脫鉤斷鏈”“關(guān)稅高壓”的威脅面前,成為了無懼狂風巨浪的中流砥柱。對中國而言的“壞時代”是,要面對各種以中國為敵的圍剿、制裁和霸凌。僅在 2021 年以后,美國就 出臺了《2021 年美國創(chuàng)新與競爭法案》《2022 年芯片與科學法案》《國家安全戰(zhàn)略》《2024 年人工智能開發(fā)使用行政令》等政策,明確將中國視為“戰(zhàn)略競爭對手”和“最嚴峻的競爭者”,要將“擊敗中國”列為優(yōu)先事項,美國甚至將國防部(the Department of Defense)更名為戰(zhàn)爭部(the Department of War)。歐洲和日本也相繼出臺了“去中國化”的《歐洲芯片法案》和《半導體產(chǎn)業(yè)緊急強化方案》。在這樣波詭云譎的形勢中,我們必須“丟掉幻想,準備斗爭”。

2 集成電路產(chǎn)業(yè)成為推動生產(chǎn)力發(fā)展的引擎

馬克思說:“各種經(jīng)濟時代的區(qū)別,不在于生產(chǎn)什么,而在于怎樣生產(chǎn),用什么勞動資料生產(chǎn)?!比缜拔乃?,第 5 個經(jīng)濟長波周期的引擎是信息產(chǎn)業(yè)。對于 1958 年集成電路的發(fā)明,諾貝爾獎評審委員會的評價是:“為現(xiàn)代信息技術(shù)奠定了基礎(chǔ)?!毙畔⒃趥鞑?、交換和應用中體現(xiàn)價值。如今,信息已經(jīng)成為人們生產(chǎn)和生活中的重要資源,成為國家安全的重要保障。

在中國制造業(yè)產(chǎn)值已占全球總量 35% 的基礎(chǔ)上,加速發(fā)展中國信息產(chǎn)業(yè)應成為“十五五”規(guī)劃的重中之重。這是保證 GDP 總量增長速度的需要,是持續(xù)增進民生福祉的需要,是“止戈為武”、保障國家安 全、維護和平發(fā)展環(huán)境的需要。

在“十五五”的 5 年中,集成電路相關(guān)人員將承擔著強軍、強國的重任,肩負著中華民族偉大復興的歷史使命。信息產(chǎn)業(yè)的核心是集成電路和在集成電路中運行的軟件,以及由集成電路和軟件共同構(gòu)成的信 息系統(tǒng)。正在亞洲、歐洲和中東地區(qū)進行的局部戰(zhàn)爭,凸顯了以集成電路和軟件構(gòu)成的體系戰(zhàn)爭特征。體系戰(zhàn)爭不再是兵員多寡、鋼鐵堆砌的簡單比拼,戰(zhàn)爭勝負的砝碼已經(jīng)從制陸權(quán)、制海權(quán)、制空權(quán)向制天權(quán)、制電磁權(quán)、制信息權(quán)傾斜?!爸啤钡暮诵氖恰爸恰?,是“不戰(zhàn)而屈人之兵”。當今,集成電路是“智”的載體。

衛(wèi)星、有源相控陣雷達、預警機、殲擊戰(zhàn)機、無人機群、導彈已然是體系戰(zhàn)爭中的主導裝備。傳感器、中央處理器(central processing unit,CPU)、圖形處理器(graphics processing unit,GPU)、數(shù)據(jù)處理器(data processing unit,DPU)、存儲器、基帶芯片、射頻芯片、電源管理等芯片,在上述裝備中承擔著信息獲取、信息處理、信息存儲、信息傳輸和信息執(zhí)行的所有重任。集成電路性能的高低、產(chǎn)能的強弱,以及由其中運行的軟件系統(tǒng)所構(gòu)成的數(shù)據(jù)鏈,已經(jīng)成為武器即時響應、實時應變、指揮控制、精準打擊的“智能”關(guān)鍵;而寬禁帶半導體(如 SiC、GaN)的應用,對于電磁彈射系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)化效率、彈射效率與可靠性的提升,成為航母戰(zhàn)斗群“體能”延伸的重要保障。可以說,現(xiàn)代裝備體系中的集成電路和軟件正在改變戰(zhàn)爭規(guī)則。

在民生領(lǐng)域中,信息體系成為人們提高生活水平和幸福指數(shù)的平臺,架起了全世界人們相互溝通的橋梁。在互聯(lián)網(wǎng)支持的環(huán)境下,移動通信、電子商務和數(shù)字支付的普及使得傳統(tǒng)的郵政系統(tǒng)、紙媒傳播、實 體店購物和膠片產(chǎn)業(yè)在市場上感到落寞。微信(WeChat)、抖音(TikTok),以及快遞服務成為許多國家普通人生活中不可或缺的組成部分,媒體觸及人群龐大,如 2025 年,“9·3”閱兵全媒體渠道直播和重播點播總觸達 296.21 億人次,電視端直播收視份額達 92.61%,央視總臺直播信號和新聞視頻被 129 個國家和地區(qū)的 2016 家海外主流媒體采用播出。2024 年 8 月,中國電子行業(yè)以 11.54 萬億元的總市值首次超越銀行業(yè),成為 A 股市場第一大行業(yè)。

3 從“六五”到“十四五”的中國集成電路產(chǎn)業(yè)

20 世紀 50 年代,以中國固體物理和半導體物理學科的開創(chuàng)者之一黃昆為代表的一代大師秉承著“中國有我們和沒有我們,makes a difference”的堅定信念,放棄了國外優(yōu)渥的生活和科研條件回到祖國,成為了中國集成電路產(chǎn)業(yè)的奠基者;他們培養(yǎng)的第一批半導體專業(yè)人才成為中國集成電路產(chǎn)業(yè)的開拓者。

從 20 世紀 60 年代到 90 年代末,中國集成電路產(chǎn)業(yè)在初始創(chuàng)業(yè)中探索前進。進入 21 世紀,從“十五”起,在改革開放的大環(huán)境中,以中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)為代表的一批與國際接軌的企業(yè)涌現(xiàn),在國家政策的支持下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)駛?cè)肓艘?guī)范發(fā)展的快車道,自 2001 年至 2011 年,平均 1 年的銷售額(810.9 億元)就超過了前 20 年銷售額的總和(519.2 億元)。自“十二五”起,中國集成電路產(chǎn)業(yè)進入高速成長階段。圖 2 表明,從“六五”起,每 2 個相鄰的 10 年段,后者的集成電路年平均銷售額就增加一個數(shù)量級,按此規(guī)律預計,“十四五”到“十五五”這 10 年的年平均銷售額將達到 104 億元。


圖2 中國集成電路產(chǎn)業(yè)歷年銷售額(數(shù)據(jù)來源:中國半導體行業(yè)協(xié)會)

圖 3 表明了中國集成電路銷售額、電子信息產(chǎn)業(yè)銷售額和 GDP 的正相關(guān)關(guān)系。其中,從 2004 年到 2024 年,電子信息產(chǎn)業(yè)銷售額與 GDP 之比均值約為 1/5;而集成電路銷售額與 GDP 之比則從 1/300 上升到 1/100,這一是表明中國集成電路產(chǎn)業(yè)對 GDP 的貢 獻越來越大,二是證明了以集成電路為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的確是第 5 個經(jīng)濟長波周期的驅(qū)動器。


圖3 中國集成電路產(chǎn)業(yè)、信息產(chǎn)業(yè)銷售額和 GDP 的比較

(數(shù)據(jù)來源:國家統(tǒng)計局、工業(yè)和信息化部)

圖 4 為世界半導體市場總額與世界 GDP 總額的比較,同樣證明了二者之間的正相關(guān)關(guān)系。24 年間,半導體銷售額/GDP≈1/220(24 年均值)。


圖4 世界半導體市場總額與世界 GDP 總額的正相關(guān)關(guān)系

(數(shù)據(jù)來源:世界銀行、世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計)

4 集成電路的產(chǎn)業(yè)體系

4.1 集成電路產(chǎn)業(yè)體系的基本架構(gòu)

集成電路產(chǎn)業(yè)體系包括集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和支撐其發(fā)展的各種外部條件:集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)發(fā)端于社會進步和國家安全需求,根據(jù)這些需求,由不斷追求技術(shù)創(chuàng)新的生產(chǎn)鏈生產(chǎn)各種集成電路產(chǎn)品;最 后,由集成電路+軟件構(gòu)成的整機系統(tǒng),在各種信息設(shè)備的市場應用中體現(xiàn)其最終價值。作為集成電路產(chǎn)業(yè)體系,還要考慮國際環(huán)境變化、國內(nèi)政策支持、持續(xù)投資強度和人才隊伍建設(shè)等必要支撐條件(圖 5)。


圖5 集成電路產(chǎn)業(yè)體系基本構(gòu)成

體積小、重量輕、智能強、速度高、功能多、容量大、功耗低是人們在生產(chǎn)和生活中對信息終端不斷提出更新迭代的需求。為滿足上述需求,作為集成電路產(chǎn)業(yè)體系核心部分的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈,要在器件結(jié)構(gòu)、設(shè)計工具、專用材料、專用設(shè)備、生產(chǎn)工藝等各個方面不斷創(chuàng)新。

作為外部支撐條件,首先要創(chuàng)造有利于生產(chǎn)和進出口貿(mào)易穩(wěn)定的和平環(huán)境;要加強人才,尤其是領(lǐng)軍人才隊伍的建設(shè);同時,在已經(jīng)發(fā)布的《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》和《國務院關(guān)于印發(fā)進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》基礎(chǔ)上,進一步提高政策支持的方式和力度;在國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(國家大基金)的基礎(chǔ)上要持續(xù)增加國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的高強度投入。

4.2 中國集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與面臨的挑戰(zhàn)

4.2.1 中國集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀

1)安全。在衛(wèi)星、國家安全與軍事網(wǎng)絡、所有制導的攻防裝備中應用的集成電路和加密軟件,已經(jīng)做到 100% 由自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈進行生產(chǎn)、維護和迭代,對有關(guān)國家安全的領(lǐng)域構(gòu)筑了堅實屏障。

2)電子設(shè)計自動化。國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2024 年,全球電子設(shè)計自動化(electronic design automation,EDA)市場規(guī)模為 117.93 億 美元,其中,國外的 3 家——新思科技(Synopsys)、楷登(Cadence)和西門子(Siemens)的 EDA 銷售額分別 為 42.21 億、32.95 億和 19.89 億美元,合計占世界 EDA 市場總額的 81%。這 3 大企業(yè)形成了較高的行業(yè)進入壁壘,同時也積累了較強的用戶黏性。

1993 年,中國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的 EDA 工具“熊貓系統(tǒng)”研制成功,打破了國外封鎖的大門,點燃了中國 EDA 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的星星之火。其后,輸出管制統(tǒng)籌委員會解除封鎖,國外 EDA 企業(yè)以其成熟產(chǎn)品涌入,國內(nèi) EDA 工具研發(fā)和應用陷入低谷。2002 年起,北京華大九天科技股份有限公司、上海概倫電子股份有限公司、杭州廣立微電子股份有限公司、上海合見工業(yè)軟件集團有限公司、上海思爾芯技術(shù)股份有限公司、深圳鴻芯微納技術(shù)有限公司、芯華章科技股份有限公司、蘇州培風圖南半導體有限公司等一批 EDA 公司陸續(xù)成立,迄今逾百家。2024 年,北京華大九天科技股份有限公司以 1.56 億美元銷售額躋身世界 10 強,居第 6 位。在模擬電路設(shè)計、存儲電路設(shè)計、射頻電路設(shè)計、平板顯示電路設(shè)計等領(lǐng)域已實現(xiàn)全流程覆蓋,并在數(shù)字電路設(shè)計、晶圓制造 EDA、先進封裝 EDA 等領(lǐng)域取得突破,其電路仿真工具、物理驗證工具、超大規(guī)模版圖數(shù)據(jù)處理與分析工具、時序優(yōu)化工具、電源可靠性簽核工具達到全球領(lǐng)先水平,并可支持鰭式晶體管(fin field?effect transistor,F(xiàn)inFET)工藝。其 EDA 產(chǎn)品已在中芯國際、深圳市海思半導體有限公司、紫光展銳(上海)科技股份有限公司、海光信息技術(shù)股份有限公司、京東方科技集團股份有限公司等客戶中得到廣泛應用。

3)設(shè)計。據(jù)集邦咨詢(TrendForce)的研究報告,2024 年,在無生產(chǎn)線設(shè)計企業(yè)(fabless)中,英偉達(NVIDIA)、高通(Qualcomm)和博通(Broadcom)的營收額分別為 1243.77 億、348.57 億和 306.44 億美元,豪威集成電路(集團)股份有限公司以 30.49 億美元的營收額位列第 9。2024 年,國內(nèi)集成電路設(shè)計企業(yè)有 3626 家,其產(chǎn)品以通信和消費類的中低端芯片為主, 全行業(yè)產(chǎn)值為 6460.4 億元(約 909.9 億美元)。也就是說,3626 家企業(yè)的銷售總額尚不及英偉達一家的銷售額。但是,除了需要在性能、功耗、成本和體積上都有高要求的手機芯片外,其他芯片,包括 AI 芯片、 CPU 芯片、現(xiàn)場可編程門陣列(field?programmable gate array,F(xiàn)PGA)芯片等,美國已經(jīng)無法對中國實施限制。國內(nèi)一批設(shè)計企業(yè)進入全球前列,芯片設(shè)計水平已躋身國際第一梯隊,深圳市海思半導體有限公司、紫光展銳(上海)科技股份有限公司分別是國內(nèi)智能手機處理器芯片第 1、第 2 大設(shè)計商,市場占有率分別為 20%、10%。

高端芯片的設(shè)計與生產(chǎn)主要受限于:EDA 工具的禁運嚴重影響國內(nèi)集成電路設(shè)計企業(yè)的研發(fā)效率和質(zhì)量,同時還會增加風險和成本;國內(nèi)芯片制造能力的提升;下游企業(yè)傾向于進口國外產(chǎn)品。

4)制造。根據(jù)集邦咨詢(TrendForce)發(fā)布的報告,2025 年第二季度,中芯國際在芯片代工企業(yè)的全球市場占有率(市占率)中超過了聯(lián)華電子股份有限公司和格芯(GlobalFoundries),位居世界第 3。上海華虹(集團)有限公司位居世界第 6。

2025 年上半年,中芯國際≥28 nm 工藝的晶圓月產(chǎn)能達到 35 萬片,產(chǎn)能利用率達到 92.5%;其 14 nm 及以下 FinFET 技術(shù)代工的芯片,已實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)和商業(yè)化,為國內(nèi)先進邏輯產(chǎn)能需求提供了支撐。

5)封測。2024 年,全球集成電路封測產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達到 821 億美元。其中,中國臺灣日月光半導體制造股份有限公司營收 185.4 億美元,位列第一,美國安靠科技(Amkor Technology)公司以 63.2 億美元位列其次,江蘇長電科技股份有限公司以 50 億美元營 收居世界第 3 位,通富微電子股份有限公司營收 33.2 億美元位列全球第 4;天水華天科技股份有限公司營收 20.1 億美元排名第 6。

截至 2024 年,國內(nèi)先進封裝的企業(yè)數(shù)量為 116 家。江蘇長電科技股份有限公司在高算力(含相應的存儲、通信)、AI 端側(cè)、功率與能源、汽車和工業(yè)等重要領(lǐng)域擁有行業(yè)領(lǐng)先的半導體先進封裝技術(shù)。通富微電子股份有限公司大力開發(fā)扇出型、圓片級、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴充其產(chǎn)能,積極布局芯粒(Chiplet)、2D+等頂尖封裝技術(shù),形成了差異化競爭優(yōu)勢。天水華天科技股份有限公司持續(xù)進行先進封裝技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)及量產(chǎn)工作,推進 Chiplet、汽車電子、板級封裝平臺相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。完成了 2.5D 生產(chǎn)線建設(shè)和設(shè)備調(diào)試,扇出型面板級封裝(fan?out panel level packaging,F(xiàn)OPLP)技術(shù)通過了客戶認證。盛合晶微 半導體(江陰)有限公司是國內(nèi) 12 英寸中段凸塊加工產(chǎn)能和加工規(guī)模最大的企業(yè),也是國內(nèi)首家大規(guī)模量產(chǎn)基于硅通孔載板(TSV Interposer)的 2.5D Chiplet 全流程先進封裝企業(yè)。

6)設(shè)備。設(shè)備作為半導體行業(yè)的核心支柱,近年來在自主可控與國產(chǎn)替代的大背景下,本土化趨勢愈發(fā)明顯。北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司是國內(nèi)半導體設(shè)備的平臺型企業(yè),已形成“刻蝕+薄膜沉積+熱 處理+濕法+離子注入”全品類布局。2025 年 6 月,北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司取得芯源微控股權(quán),補全光刻配套的涂膠顯影設(shè)備短板。2024 年,北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司全球排名第 6 位。中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司刻蝕機占全球市場份額 的 17%,據(jù)公開報道是唯一進入中國臺灣積體電路制造股份有限公司(臺積電)7 nm/5 nm 工藝的大陸本土設(shè)備商。上海微電子裝備(集團)股份有限公司 28 nm 光刻機(ArF,Immersion)進入工藝測試階段。拓荊科技股份有限公司 14 nm 次常壓化學氣相沉積(subatmospheric chemical vapor deposition,SACVD)設(shè)備在中 芯國際產(chǎn)線成功替代國外同類產(chǎn)品。盛美半導體設(shè)備(上海)股份有限公司自主研發(fā)出的單片兆聲波清洗設(shè)備已經(jīng)進入臺積電 CoWoS(2.5D、3D 的封裝技術(shù))生產(chǎn)線。華海清科股份有限公司新一代 12 英寸超精密晶圓減薄機批量進入大生產(chǎn)線,連續(xù)發(fā)往國內(nèi) 多家半導體龍頭企業(yè)。

據(jù) SEMI 統(tǒng)計,2024 年全球半導體設(shè)備出貨金額為 1171 億美元。其中,阿斯麥(ASML)、應用材料(Applied Materials)和泛林集團(Lam Research)的營收分別為 310.2 億、250.3 億和 162.1 億美元。中國大陸排名前 10 位的主要半導體設(shè)備制造商在 2024 年的半導體設(shè)備銷售收入 486 億元左右(約 67.51 億美 元),合計市場份額約占全球 5.77%,占國內(nèi)市場份額 13.6%。

目前,中國大陸晶圓制造設(shè)備供應商有 185 家,半導體封裝設(shè)備供應商有224家。

7)材料。集成電路材料主要包括硅材料、高純電子化學品、高純電子氣體、光刻膠、高純石英制品、濺射靶材、框架引線封裝材料等。直拉硅單晶(硅片)包括拋光片、外延片、SOI 硅片(絕緣體上硅)等類型。

日本的信越(Shin?Etsu)、勝高(SUMCO),中國臺灣的環(huán)球晶圓股份有限公司,德國的世創(chuàng)(Siltronic)和韓國的 SK Siltron 這 5 家企業(yè)占據(jù)了全球硅片市場 85% 的份額,其中信越和勝高 2 家企業(yè)的市場占比達 50% 以上。2024 年,中國 150 mm 及以下集成電路硅片已經(jīng)完全國產(chǎn)化;200 mm 硅片被本土芯片廠商的接受程度在進一步提升,已獲得約 70% 的國內(nèi)市場份額;300 mm 集成電路硅片的國產(chǎn)化正在加速,國內(nèi)市場約 55% 已經(jīng)由國產(chǎn)硅片替代使用,特別是 300 mm 存儲芯片用硅片基本可以實現(xiàn)自主供應。但是多晶硅的 70%、拋光機的 70%、拋光墊和漿料的 90% 依賴進口。

目前,國內(nèi)主要的 12 英寸硅片廠家有西安奕斯偉材料科技股份公司、杭州立昂微電子股份有限公司、上海硅產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司及中環(huán)領(lǐng)先半導體科技股份有限公司。2024 年,西安奕斯偉材料科技股份公司硅片產(chǎn)能達到 71 萬片/月,全球市占率 6%(測試片占 50%),排名第 6 位。山東天岳先進材料科技有限公司在碳化硅襯底制造市場中占 22.80%,居全球第 2 位。江蘇南大光電材料股份有限公司實現(xiàn)了 ArF 光刻膠(28 nm 工藝)量產(chǎn),客戶覆蓋中芯國際、長江存儲科技控股有限責任公司(長江存儲),2025 年國產(chǎn)替代率預計突破 30%。晶瑞電子材料股份有限公司在 G 線光刻膠市占率達 30%;KrF 光刻膠國產(chǎn)化率達 42%。

8)存儲器。存儲器包括動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory,DRAM)、NAND 閃存(NAND Flash)、NOR 型閃存(NOR Flash)和存儲器接口等產(chǎn)品。據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(World Semiconductor Trade Statistics Organization,WSTS)統(tǒng)計,2024 年世界半導體市場總額為 6305.5 億美元,其中存儲器為 1655.16 億美元,占 26.25%。存儲器的市場份額中,DRAM 占 58.26%,NAND Flash 占 41.68% ,是存儲器競爭的主要賽道。

1976 年,北京大學王陽元團隊研制成功的硅柵 N 溝道 1024 位金屬氧化物半導體(MOS)DRAM 比日本電氣股份有限公司(NEC)于 1973 年研制的 1024 位 MOS DRAM(型號 μPD404)僅晚了 3 年,一舉打破了西方封鎖,成為繼美、日之后的第 3 個擁有 1024 位 MOS DRAM 的國家。

其后,由于資金、設(shè)備、人才等因素的制約,加之國外產(chǎn)品的涌入,中國 DRAM 的研發(fā)和生產(chǎn)一度中止;直至 2004 年,中芯國際的第一款產(chǎn)品 64 Mb 的 DRAM 交付用戶。但由于中芯國際轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠(Foundry),DRAM 的研發(fā)與生產(chǎn)再度中止。

自 1976 年中國第一款 DRAM 誕生后的 40 年,長鑫科技集團股份有限公司(長鑫科技)于 2016 年成 立,彌補了中國 DRAM 研發(fā)和生產(chǎn)的空白。作為集設(shè)計、制造、封測一體的垂直整合制造(IDM)廠商,2019 年,長鑫科技推出了自主設(shè)計生產(chǎn)的 8Gb DDR4 產(chǎn)品,實現(xiàn)了中國大陸 DRAM 產(chǎn)業(yè)“從 0 到 1”的突破。目前,該企業(yè)已通過“跳代研發(fā)”策略,完成了從第一代工藝技術(shù)平臺到第四代工藝技術(shù)平臺的量產(chǎn),以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等產(chǎn)品的覆蓋和迭代。2024 年,三星電子(SAMSUNG Electronics)、SK 海力士(Hynix)和美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)在全球 DRAM 市場占有率 分別為 40.49%、29.38% 和 22.93%,長鑫科技為 4%,成為全球第 4 的 DRAM 制造商。作為全球 DRAM 市場的后起之秀,長鑫科技一直致力于通過加大研發(fā)資源投入和自主技術(shù)創(chuàng)新,在 DRAM 產(chǎn)品設(shè)計、制造工藝、封裝測試、模組設(shè)計與應用等各業(yè)務環(huán)節(jié)構(gòu)建了全面、完善的核心技術(shù)體系,主要核心技術(shù)已達到國際先進水平。

長江存儲也是一家集芯片設(shè)計、研發(fā)制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲器 IDM 企業(yè),2024 年實現(xiàn)了 294 層 3D NAND 閃存量產(chǎn),月產(chǎn)能達到 30 萬片晶圓,其世界市場份額為 8.6%,位居第 6。長江存儲晶棧 3.0 架構(gòu)率先突破 200 層。日本 鎧俠(KIOXIA)和韓國三星電子均放棄臨近型外圍電路/置底型外圍電路(PNC/PUC)架構(gòu),向長江存儲購買晶棧架構(gòu)專利授權(quán)用于新技術(shù)代開發(fā)。晶棧架構(gòu)在集成電路存儲領(lǐng)域首次實現(xiàn)中國技術(shù)反向定義國際主流技術(shù)路線,引領(lǐng)了國際 3D NAND 技術(shù)發(fā)展方向。2024 年,全球 NOR Flash 市場規(guī)模達到 26.99 億美元,兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司以 23% 的全球市場份額居第 2 位。瀾起科技股份有限公司的主要產(chǎn)品是內(nèi)存接口芯片,內(nèi)存擴展控制芯片,內(nèi)存模組配套芯片。2024 年,瀾起科技股份有限公司內(nèi)存接口芯片的世界市場份額達 36.8%,位居全球第 1。其客戶集中于三星電子、SK 海力士、美光科技有限公司這 3 家企業(yè)。

9)進出口。中國集成電路國產(chǎn)化率逐漸提高,進口集成電路開始減少(圖 6)。但是,2024 年中國集成電路進口額為 3857.9 億美 元 ,超過原油進口額 3247 億美元,仍位列第 1。2024 年,進口集成電路中,處理器(手機、電腦、 GPU)和控制器占進口額的 49.9%,存儲器占 24.1%;進口集成電路均價為 0.69 美元/個。國產(chǎn)汽車 95% 的芯片依靠進口。90% 以上的存儲芯片依靠進口。2024 年,中國集成電路出口總額為 1595.5 億美元,超過手機的 1343.6 億美元,成為出口額最高的單一商品,出口集成電路均價 0.54 美元/個。可以看出,無論是進口還是出口的集成電路,仍在中、低檔產(chǎn)品的范疇之內(nèi),尚未突破高端集成電路生產(chǎn)的瓶頸。


圖6 中國集成電路的進口額

(數(shù)據(jù)來源:中國海關(guān))

10)投資。國家大基金一期 1387 億元、二期 2041.5 億元,在支持中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中起到了重要作用,2024 年 5 月 24 日正式成立的第三期大基金 3440 億元即將持續(xù)對中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供鼎力支持。3 期大基金合計約 967.4 億美元。但是,2024 年,英特爾公司(Intel Corporation)、三星和臺積電 3 家 1 年的資本支出合計就達到 857.8 億美元(圖 7)。三星電子 1 年約 360 億美元的資本支出,接近組建一支航母戰(zhàn)斗群的費用(據(jù)美國國防部的武器項目成本報告《SAR》估算一個航母戰(zhàn)斗群的初始裝備成本約為 375 億美元)。


圖7 Intel、臺積電和三星的資本支出

(數(shù)據(jù)來源:各公司財報)

反觀有限的國家大基金,要在多少年內(nèi)、由多少企業(yè)來分配這 900 多億美元?在資本的唆使與糖衣炮彈的攻擊中,又如何保證國家大基金有效地發(fā)揮作用?這是我們必須慎重思考,也要加強管理的課題。

11)小結(jié)。集成電路生產(chǎn)是一項牽涉百種設(shè)備、千種材料、萬種產(chǎn)品的,龐大的、極其復雜的系統(tǒng)工程,上述現(xiàn)狀梳理只是以管中窺豹的方式對中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的部分環(huán)節(jié)進行概貌性描述,核心結(jié)論為:

(1)在政治、軍事、太空、經(jīng)濟、文化、社會、網(wǎng)絡等涉及《中華人民共和國國家安全法》規(guī)定的國家安全領(lǐng)域,中國已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn) 100% 自主制造、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片,筑牢了國家安全的底線;

(2)≥ 28 nm 成熟工藝的中低端芯片占世界市場的 80%,中國≥28 nm 芯片產(chǎn)能占該世界市場的 33%,且芯片的設(shè)計與制造均不受制約;

(3)在攀登集成電路產(chǎn)業(yè)頂峰的征途中,中國已經(jīng)登上了進入世界前 10 的“第一臺階”(表 1),并在這個臺階上建立了繼續(xù)攀登的“大本營”。

表1 中國集成電路公司主要領(lǐng)域及世界排名


4.2.2 中國集成電路產(chǎn)業(yè)存在的主要問題

1)小、散、弱同質(zhì)化競爭內(nèi)卷嚴重。小而散是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的痼疾。EDA企業(yè)逾百家,封測企業(yè) 116 家,晶圓制造設(shè)備企業(yè) 185 家,封裝設(shè)備企業(yè) 224 家。設(shè)計企業(yè) 3626 家,銷售額小于 1000 萬 元的企業(yè) 1769 家,人數(shù)少于 100 人的小微企業(yè)占總 數(shù)的 87.9%。其根源是“寧為雞頭,不為牛尾”“小富即安”的小農(nóng)經(jīng)濟文化延續(xù)。當然,在市場經(jīng)濟中,很難實施對小微企業(yè)的強行并購,但占 87.9% 的小微企業(yè)“優(yōu)不勝,劣不汰”的結(jié)果就是因內(nèi)卷而產(chǎn)生內(nèi)耗,占據(jù)了眾多的公共資源,也分散了眾多的公共資源。小微企業(yè)綁在一起也不可能與英偉達、高通、新思科技、楷登這樣的集團軍正面交鋒,散沙難以相聚成塔。

2)上下游企業(yè)之間欠缺容錯、試錯機制。EDA 工具要經(jīng)過設(shè)計企業(yè)使用才能逐漸成熟,與制造企業(yè)合作才能創(chuàng)造更多可以復用的知識產(chǎn)權(quán)(intellectual property,IP);新的設(shè)備、新的材料要經(jīng)過生產(chǎn)線批量生產(chǎn)的考驗才能逐步穩(wěn)定運行與可靠供貨;設(shè)計的新產(chǎn)品要在整機上經(jīng)過反復試用才能改進其性能。這期間的容錯、試錯是不可回避的過程,然而這一過程都需要付出成本,成本的增加有可能成為加速產(chǎn)品國產(chǎn)化的障礙。尤其是當某一產(chǎn)品不受制約,可以從國際市場上采購時,由于供方與客戶之間所產(chǎn)生的黏性和已經(jīng)建立的生態(tài)關(guān)系,使得能夠國產(chǎn)化的產(chǎn)品更是難以在市場中殺出一條血路。以汽車電子為例,雖然中國已經(jīng)成為汽車生產(chǎn)第 1 大國,占全球市場 66% 的份額,但國產(chǎn)汽車 95% 的芯片仍依靠進口,其中計算和控制類芯片依賴度高達 99%,功率和存儲類芯片依賴度達 92% 。而這些電路的絕大部分國內(nèi)均可以生產(chǎn)。

3)整合權(quán)威數(shù)據(jù)統(tǒng)計。制定規(guī)劃的第一步是“知己知彼”,“己”和“彼”的直觀表現(xiàn)是數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的權(quán)威與否在于統(tǒng)計對象的設(shè)定和統(tǒng)計方法的運用。由于統(tǒng)計對象和統(tǒng)計方法的差異,不同的統(tǒng)計單位也會產(chǎn)生不同的數(shù)據(jù)。全球宏觀數(shù)據(jù)(如 GDP)一般以世界銀行、IMF 和國家統(tǒng)計局的數(shù)據(jù)庫為準。世界半導體行業(yè)數(shù)據(jù)一般以美國半導體行業(yè)協(xié)會(Semiconductor Industry Association,SIA)、WSTS、IC Insight、Gartner 所公布的數(shù)據(jù)作為參考。

中國半導體行業(yè)公布數(shù)據(jù)的權(quán)威部門是中國半導體行業(yè)協(xié)會、工業(yè)和信息化部及海關(guān)總署。有以下問題需要解決。

(1)可以公開、共享、連續(xù)的宏觀數(shù)據(jù)。對中國集成電路產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計,有相關(guān)政府部門、各部門行業(yè)協(xié)會,也有眾多咨詢公司和顧問公司將數(shù)據(jù)變?yōu)榧堎|(zhì)、售價高企的“研究報告”。不反對將數(shù)據(jù)分析轉(zhuǎn)化為利益,但某些可以公開、共享的數(shù)據(jù)也不應轉(zhuǎn)變?yōu)槟承┢髽I(yè)的私有財產(chǎn)。從世界銀行官網(wǎng)可以查到歷年世界及各大洲的 GDP 數(shù)據(jù),但要進一步查找各國的數(shù)據(jù)就需要成為注冊會員。同樣,在 WSTS 官網(wǎng)上可以查到世界半導體總銷售額的數(shù)據(jù),但月度數(shù)據(jù)或增長率就只有 PDF 格式圖片,若查找各國具體數(shù)據(jù),也需要注冊成為會員,并交納相關(guān)費用。

(2)明確“中國集成電路產(chǎn)業(yè)與市場”的定義。WSTS 對世界半導體市場規(guī)模的定義很簡單,即所有總部所在地企業(yè)當年銷售總額之和(所有海外建設(shè)的企業(yè)銷售額一概并入總部所在地企業(yè)的銷售總額,如 SK 海力士(無錫)產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司、三星半導體(西安)有限公司的銷售額并入總部在韓國的海力士、三星的銷售額)。把上述單個企業(yè)的銷售額累加,最后形成世界數(shù)據(jù)。中國半導體行業(yè)協(xié)會對半導體產(chǎn)業(yè)的統(tǒng)計是設(shè)計、制造、封裝三業(yè)之和,制造與封裝的產(chǎn)值在最終產(chǎn)品的價值中就產(chǎn)生了重復統(tǒng)計,始終與國際數(shù)據(jù)不能接軌。中國集成電路市場的真實規(guī)模,目前仍是待解之謎。進口電路中,有多少集成電路用于中國的整機制造,復又隨整機出口;有多少集成電 路用于國內(nèi)整機,并在國內(nèi)市場“消費”;而國內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的集成電路有多少由國人消費,多少出口,似乎沒有人說得清。

另外,行業(yè)協(xié)會將所有在本土建設(shè)的企業(yè)銷售額,包括外企在國內(nèi)建設(shè)的公司的銷售額都統(tǒng)計在中國的產(chǎn)業(yè)銷售額之內(nèi),如 SK 海力士(無錫)產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司等的營收就被國內(nèi)、國外統(tǒng)計了 2 次。綜上,中國權(quán)威主管部門需要明確中國集成電路產(chǎn)業(yè)和市場的定義,并以此作為今后制定規(guī)劃和指導企業(yè)發(fā)展的統(tǒng)一依據(jù)。

4)制定產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范。僅以設(shè)備標準為例。半導體設(shè)備及零部件標準體系存在 3 大缺陷,制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展:

(1)基礎(chǔ)性標準難滿足先進制程(如極紫外光刻)對精度、純度、可靠性的嚴苛要求,缺乏前瞻性專屬規(guī)范,導致研發(fā)方向不明、性能評估失準;

(2)新型特種零部件(耐等離子體部件、精密陶瓷件)缺乏細化性能與壽命標準;設(shè)備協(xié)同控制及自動化集成等系統(tǒng)級接口規(guī)范缺失,制約良率優(yōu)化;

(3)現(xiàn)有標準多定性描述,缺乏高精度量化指標及極端工況測試方法,導致壽命預測失準、質(zhì)量管控困難。這些問題引發(fā)設(shè)備性能瓶頸、供應鏈風險加劇、研發(fā)成本高企、產(chǎn)業(yè)協(xié)同受阻。

5)將“舉國之力”化為可以具體實施的舉措。美國遏制中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要是利用 EDA、設(shè)備和材料 3 張牌。“十五五”期間應首先解決 EDA、極紫外光刻(EUV)和硅片這 3 個關(guān)鍵問題?!按虻靡蝗_,免得百拳來。”“舉國之力”不應是口號,而應該是“十五五”期間必須由國家層面建立的整合機制,從而鍛造出真正可以與強手對壘的“頭部企業(yè)”。

以光刻機為例,ASML 的 EUV 有 10 萬個零部件,零部件供應商有 5000 家,ASML 不過是集大成者。據(jù)報道,中國 EUV 的激光光源、移動平臺和光學系統(tǒng)均在不同單位取得突破性進展,如何以舉國之力將其集成,是“十五五”期間必須解決的問題。如何創(chuàng)立中國的 ASML,讓“被集成者”跳出“名利”的藩籬,統(tǒng)一調(diào)度資金和人力資源,是有關(guān)部門應立即制定實施方案的緊急課題。同樣,EDA 和硅片也必須由國家層面統(tǒng)籌引導,在企業(yè)合作中創(chuàng)造出嶄新的共贏機制。

5 集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢

就戈登·摩爾(Gordon Moore)最初的論述而言,最低成本下,每 2 年芯片上的晶體管數(shù)增加 1 倍(是 2 年前的 2 倍),或可以表述為:本年每單位價格所能購買的晶體管數(shù)是前 2 年的 2 倍。實際上,由于芯片越來越復雜,制作成本越來越高,這個“2 倍”的倍數(shù) 越來越低,也就是說,摩爾定律前進的腳步越來越遲緩。2014 年每 1 美元所能購買的晶體管數(shù)只與 2012 年相等,這與摩爾最初的論斷已經(jīng)完全相悖,可以認為,這是傳統(tǒng)摩爾定律經(jīng)濟論述上的“終結(jié)”(圖 8)。


圖8 每 1 美元購買的晶體管數(shù)

(資料來源:Great Graphic: Is this the End of Moore’s Law? ?

Marc to Market)

隨著加工線寬越來越小,工藝也越來越復雜,芯片加工成本也就越來越高。至 28 nm 以后的工藝,每百萬門的成本不降反升,這與 1965 年摩爾最初的論述“集成的晶體管數(shù)超過一定數(shù)量后,成本反而迅速上升”的結(jié)論一致。也就是說,并非在“最低成本下”每 2 年晶體管數(shù)量可以翻一番??梢哉J為,2014 年 20 nm 后,傳統(tǒng)的摩爾定律已經(jīng)終結(jié)(圖9)。


圖9 每百萬門的成本

后摩爾時代的集成電路將向延續(xù)摩爾、拓展摩爾、超越摩爾和豐富摩爾 4 個方向發(fā)展(圖10)。


圖10 后摩爾時代集成電路的發(fā)展方向

1)延續(xù)摩爾。延續(xù)摩爾即在工藝、材料、器件、設(shè)備的不斷創(chuàng)新和完善中,仍以縮小加工尺寸為提高芯片集成度的動力,從圖 11 可以看出,Intel 工藝發(fā)展趨勢線與摩爾預測的晶體管數(shù) 2 年翻一番趨勢線基本平行,故稱為“延續(xù)摩爾”。但自臺積電采用 FinFET 和 EUV 工藝后,該趨勢斜率產(chǎn)生了明顯變化(1989—2015 年加工線寬每 2 年縮小 31%,2015—2027 年加工線寬每 2 年縮小 37%)。由于加工線寬的進一步縮小,此時的芯片可以容納更多器件,可以把 CPU、GPU、存儲器接口、調(diào)制解調(diào)器、音頻電路、視頻電路等集成在一個芯片上的“系統(tǒng)”,因而稱之為“片上系統(tǒng)”,即“System on Chip”(SoC)。SoC 既可以處理數(shù)字信號、模擬信號,也可以處理混合信號和射頻信號。


圖11 后摩爾時代集成電路加工尺寸的縮小

(數(shù)據(jù)來源:Transistor count ? Wikipedia,臺積電制程年鑒?Bing images)

2)拓展摩爾。系統(tǒng)級封裝(system in package,SiP)是拓展摩爾的發(fā)展方向。它可以將不同功能(處理器、存儲器)、不同材料(硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等)、不同加工線寬(例 3~180 nm)、不同工藝(光電器件、微機電系統(tǒng))、不同功率的各種電路、元件、器件,用并列或堆疊(3D)的方式集成在一個封裝體內(nèi),實現(xiàn)一個完整的系統(tǒng)功能(圖 12)。當 SoC 進入介觀物理范疇、受物理極限制約時,SiP 則不會受此約束。當前,Chiplet 是 SiP 技術(shù)的研究熱點之一。


圖12 SiP 示意

3)超越摩爾和豐富摩爾。未來 5 年先進邏輯器件的發(fā)展,必須是器件結(jié)構(gòu)、互連、新材料、新工藝以及 EDA 軟件的全方位協(xié)同創(chuàng)新。圍柵晶體管(gate?all?around FET,GAAFET)將取代 FinFET,是未來 5 年內(nèi)先進邏輯器件的主流方向。GAAFET 的具體實現(xiàn)形式主要包括納米片(nanosheet)和叉片(forksheet) 結(jié)構(gòu)。納米片是目前產(chǎn)業(yè)界公認的主流 GAAFET 結(jié)構(gòu)。此外,垂直場效應晶體管(vertical field effect transistor,VFET)、倒裝堆疊晶體管(flip?FET 或 FFET)和互補場效應晶體管(complementary FET,CFET)同是 3D 新器件結(jié)構(gòu)的研究方向(圖 13)。


圖13 3D 晶體管結(jié)構(gòu)示意

其中 FFET 于 2023 年由北京大學黃如院士團隊在全球范圍內(nèi)首次提出,是當前設(shè)備成熟度、工藝成熟度最高的不依賴于 EUV 實現(xiàn) 3~2 nm 的中國路徑,有望在全球?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)。該技術(shù)通過在同一晶圓的正反兩面分別形成有源器件與金屬互連網(wǎng)絡,并通過垂直通孔實現(xiàn)雙面器件、雙面電路的電源與信號互連,可將單片晶圓上的晶體管密度提升 50% 以上,并增加芯片的布局布線空間和自由度,可大幅提升芯片集成度。FFET 概念首次發(fā)表于 2024 年超大規(guī)模集成電路(very large scale integration circuit,VLSI)國際技術(shù)會議,并在 2025 年 VLSI 國際技術(shù)會議上首次發(fā)表了正背面器件驗證成果,引起了國際集成電路產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注(圖14)。


圖14 FFET 的發(fā)展方向

從 FinFET 向 GAA、VFET 和 FFET 的演進,以及背部互連技術(shù)的引入,都對制造工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)。例如,背部供電網(wǎng)絡(back?side power delivery network,BSPDN)的實現(xiàn)需要全新的工藝流程,包括精密的晶圓減薄、晶圓鍵合以及背面刻蝕和高精度對準等高難度步驟。這些工藝必須確保在不影響晶體管電學性能的前提下完成。此外,隨著晶體管尺寸的持續(xù)微縮,傳統(tǒng)的銅互連材料已經(jīng)難以滿足需求,需要采用鈷(Co)、釕(Ru)等新型金屬材料作為互連線。這些新材料的導入也需要開發(fā)相應的沉積和刻蝕工藝,增加了制造的復雜性和成本。這就要求做到設(shè)計與工藝協(xié)同優(yōu)化(design?technology co?optimization,DTCO),系統(tǒng)與工藝協(xié)同優(yōu)化(system?technology co?optimization,STCO)(圖15)。


圖15 IMEC 最新技術(shù)路線圖

(資料來源:根據(jù) IMEC 在 ITF(2017—2020)上發(fā)布的最新路線圖多圖綜合整理)

在 EDA 方面,新的器件架構(gòu),尤其是垂直堆疊器件,無法直接沿用傳統(tǒng)的平面布局設(shè)計方法,需要全新的版圖設(shè)計方法和策略來優(yōu)化晶體管密度。這種根本性的轉(zhuǎn)變對 EDA 平臺提出了新的要求,需要開 發(fā)能夠支持三維設(shè)計、雙面互連和復雜堆疊架構(gòu)的工具和算法,以及 Chiplet 或異構(gòu)集成的 EDA 工具。

在集成電路設(shè)計中,軟件定義芯片技術(shù)是一種顛覆性的芯片設(shè)計技術(shù),通過軟件編程可以實時對芯片功能進行靈活配置和動態(tài)調(diào)整,成為新一代先進芯片架構(gòu)的典型代表。

在智能化需求顯著增長的背景下,芯片算力越來越大,但數(shù)據(jù)處理能力提升后,數(shù)據(jù)供應成了芯片的重要瓶頸。在人工智能應用下,有龐大的數(shù)據(jù)量,數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t已經(jīng)成為制約芯片,乃至人工智能系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵因素。存算一體技術(shù)通過將計算和存儲集成到一體的新型芯片設(shè)計技術(shù),打破了傳統(tǒng)計算架構(gòu)中“計算”和“存儲”分離的模式,減少了數(shù)據(jù)在存儲單元和計算單元搬運的延遲和功耗開銷。

在硅基之外,將大規(guī)模引入具有優(yōu)異物理特性的新一代半導體材料(如 SiC、GaN),并探索超寬禁帶材料(如 Ga2O3、AlN、BN 等),以應對高壓、高頻、高溫、高功率、光電子等應用場景的極限需求。

為了滿足從納米尺度邁向原子級制造工藝,EUV 將持續(xù)提升光源功率和穩(wěn)定性,發(fā)展更高數(shù)值孔徑光刻機(high?NA EUV),并配套開發(fā)更精密的掩模版制造與檢測設(shè)備、新型光刻膠與顯影設(shè)備。

4)投資。隨著集成電路技術(shù)的進步,其投資也隨之不斷增長,持續(xù)、穩(wěn)定、高強度的投資是集成電路技術(shù)進步的切實保障。圖16為不同技術(shù)節(jié)點的集成電路設(shè)計費用增長趨勢??梢钥闯觯? nm 集成電路產(chǎn)品是 28 nm 產(chǎn)品設(shè)計成本的 7.6 倍。設(shè)計成本中 EDA 軟件占比最高,達 43%。隨著技術(shù)節(jié)點的不斷縮小,制造業(yè)的投資也在不斷增加。


圖16 主流節(jié)點集成電路的設(shè)計成本

(資料來源:What’s After FinFETs?(semiengineering.com))

6 對“十五五”規(guī)劃的思考和建議

6.1 發(fā)展目標

(1)按 WSTS 的統(tǒng)計標準,中國集成電路產(chǎn)業(yè)躋身集成電路產(chǎn)業(yè)強國前 3 名的行列。

(2)國民經(jīng)濟領(lǐng)域需求的芯片自給率提高到 80%,加強集成電路全產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的建設(shè),國內(nèi)能夠滿足市場需求的、小于 1 美元的中低檔產(chǎn)品逐步減少進口或停止進口(用于整機產(chǎn)品加工復出口產(chǎn)品除外)。

(3)夯實自主可控的 28 nm 全產(chǎn)業(yè)鏈體系;14 nm 生產(chǎn)鏈能夠穩(wěn)定生產(chǎn);初步完成全國產(chǎn)化的 7 nm 生產(chǎn)線建設(shè)及試運行。

(4)建設(shè)最先進工藝能力的公共平臺來研發(fā)驗證最新器件結(jié)構(gòu)、工藝(邏輯、存儲、光電、異構(gòu)集成等)、裝備、零部件、材料、EDA 軟件等。成熟的新結(jié)構(gòu)器件迅速擴大產(chǎn)能。

(5)在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,原始創(chuàng)新能更多地涌現(xiàn),在新器件結(jié)構(gòu)、新材料、新工藝研發(fā)和生產(chǎn)的某些領(lǐng)域引領(lǐng)世界發(fā)展潮流。

6.2 建議實施的舉措

1)研究制定有利于企業(yè)整合、并購的政策,集中各種資源創(chuàng)建與世界產(chǎn)業(yè)巨頭比肩的頭部企業(yè),將“各自為戰(zhàn)”變?yōu)椤皥F隊作戰(zhàn)”。以舉國之力攻克最重要的材料(硅圓片、電子氣體)、設(shè)備(曝光機)難關(guān),努力提高國產(chǎn) EDA 軟件的系統(tǒng)集成水平,擴大其在國內(nèi)外市場的占有率。

2)研究制定有利于各生產(chǎn)環(huán)節(jié)上下游之間容錯、試錯和驗證的機制與鼓勵措施,通過國產(chǎn)化應用的補貼、保險等方式,加速已研制成功產(chǎn)品的國產(chǎn)化進程,縮短國產(chǎn)產(chǎn)品進入大生產(chǎn)線的時間。

3)持續(xù)加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的投資力度,一是在世界半導體市場增長率下降的低谷期進行投入,二是要加強創(chuàng)新投入,尤其是對基礎(chǔ)研究、不求短期回報的投入。要加強對國家投資的調(diào)控能力,必須將有限的資金在有限的時間和有限的空間內(nèi)集中使用,切不可在地域或部門的利益分配中,造成資金的游移、分散和遲延。要加大對中國集成電路產(chǎn)業(yè)的投資強度和集中度,通過稅收、補貼等政策支持和制度設(shè)計加強對投資的計劃制定和監(jiān)管。

4)基礎(chǔ)研究要提前 10 年部署。以性能功耗比作為標尺,以 3D 集成為發(fā)展方向,沉下心來進行器件結(jié)構(gòu)、材料、EDA 算法等基礎(chǔ)研究工作,使其能夠產(chǎn)生革命性的創(chuàng)新成果。要擴展研究成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的渠道,縮短研究成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的時間,使其在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中產(chǎn)生價值,同時要注重科研成果的知識產(chǎn)權(quán)保護工作。

5)加強國際合作,對于一般材料和設(shè)備的研發(fā)或采購,要融入國際產(chǎn)業(yè)鏈和生態(tài)鏈,構(gòu)建國內(nèi)國際雙循環(huán)的發(fā)展格局。

6)加大人才培養(yǎng)力度和吸引力。支持骨干企業(yè)和高校聯(lián)合,以市場和企業(yè)需求為導向,培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)急需人才,使北京大學軟件與微電子學院等單位充分發(fā)揮人才培養(yǎng)示范作用。對企業(yè)開展的師資、課程體 系、教材、實踐基地等支撐能力建設(shè)給予一定額度的補貼。對 EDA、材料等基礎(chǔ)支撐產(chǎn)業(yè)從業(yè)人員在個人所得稅減免、落戶、子女入學等方面給予政策傾斜,增強行業(yè)對人才的吸引力。在深化產(chǎn)教融合中,要優(yōu)化課程模塊化設(shè)計,推進多學科交叉培養(yǎng),培育復合型創(chuàng)新人才。要構(gòu)建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化體系,培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)業(yè)力量,同時注重國際化培養(yǎng),開展國際交流合作。

6.3 結(jié)論

今后 5 年,中國的芯片產(chǎn)業(yè)將會是“臥薪嘗膽”的 5 年;是丟掉幻想、準備斗爭的 5 年;是扎穩(wěn)中端腳跟、夯實內(nèi)循環(huán)市場的 5 年;是尊重科學規(guī)律、潛心基礎(chǔ)研究“磨一劍”的 5 年。既然核心技術(shù)買不來、要不來、討不來,那就只能“干出來”。中國芯,前進的道路上有落石、有陷阱、有荊棘、有蛇蝎,但是沒有任何障礙能夠阻擋中華民族崛起的步伐,已經(jīng)點燃的中國芯火炬正在撕開黑暗勢力編織的鐵幕,照亮了中華民族前進的征途。已經(jīng)站起來、富起來的中國必將在強起來的道路上永遠闊步前進。

本文作者:王陽元,卜偉海,于燮康,王潤聲,王永文,劉偉平,楊德仁,嚴曉浪,陳南翔,張興,趙晉榮,康勁,魏少軍

文章來 源 : 王陽元, 卜偉海, 于燮康, 等. 構(gòu)建自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系——“十五五”期間對中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思考與建議[J]. 科技導報, 2026, 44(3): 34?49 .

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