沒錯(cuò)，今天又來跟大家說，要關(guān)注新潔能了，這票在碳化硅概念股里，算是漲的最少的那一只，這票在熱門概念里漲得少，我覺得其實(shí)核心原因還是不夠熱點(diǎn)，股性相對(duì)差一點(diǎn)，但是勝在穩(wěn)定，你們打開K線可以看到，這種行情下，一直沒怎么掉下去，現(xiàn)在K線圖上顯示又是一個(gè)明顯均線向上的上攻趨勢(shì)，外加盤子不大，PE倍數(shù)在科技股里不高，不斷涌現(xiàn)出來的小作文，其實(shí)都是這個(gè)票可能快要上攻的理由，不過該說不說的，現(xiàn)在的行情是真夠無聊的，可能未來好幾個(gè)月內(nèi)，都不會(huì)再有像什么商業(yè)航天之類的主線了，過年前估計(jì)行情也不大，反正倉(cāng)位不大的話，做波段我堅(jiān)信在這個(gè)市場(chǎng)里還是賺得到錢的。就這樣，多的不說，少的不嘮，圖放最后，還是那句，僅作為大家交流使用。

新潔能的產(chǎn)品主要包括 MOSFET、IGBT、PIM、SiC MOSFET 等多個(gè)系列，具體如下：

• MOSFET 產(chǎn)品無錫新潔能

  ：擊穿電壓覆蓋 - 200V 至 300V，電流范圍為 100mA 至 400A。產(chǎn)品類型豐富，有 12-300V N 溝道汽車 MOSFET、12-150V P 溝道汽車 MOSFET、500-1050V N 溝道汽車 MOSFET 等，還有普通的 12-300V N MOSFET、12-200V N 溝道溝槽 MOSFET、30-250V N 溝道 SGT-I MOSFET 等。

• IGBT 產(chǎn)品無錫新潔能

  ：新潔能的 IGBT 產(chǎn)品通過工藝與器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，在導(dǎo)通壓降與開關(guān)損耗之間做出了巧妙權(quán)衡，能夠大幅度提高系統(tǒng)效率。其新一代第七代微溝槽場(chǎng)截止技術(shù) IGBT 產(chǎn)品，采用先進(jìn)的微溝槽技術(shù)等，大幅提升器件電流密度，650V 產(chǎn)品電流密度可提升至 550A/cm2 以上。

• PIM 產(chǎn)品無錫新潔能

  ：以先進(jìn)的 IGBT 芯片技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合高可靠性的封裝技術(shù)，推出全新的 IGBT 功率集成模塊（PIM）系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品包括 650V、750V、1200V 和 1700V 系列產(chǎn)品，并搭載了不同系列的 IGBT 芯片，可提供各種通用的封裝外形和電路拓?fù)洌瑵M足工業(yè)變頻、工業(yè)逆變、新能源、汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用要求。

• SiC MOSFET 產(chǎn)品無錫新潔能

  ：新潔能推出了第二代 SiC MOS 系列產(chǎn)品，電壓范圍為 650V-1700V。該系列產(chǎn)品基于第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)深度研發(fā)，具有卓越的性能，其雪崩耐量參數(shù)達(dá)到業(yè)界頂尖水平，可完美適配新能源汽車電驅(qū)、大功率充電模塊、工業(yè)變頻器等高頻、高精度場(chǎng)景。

• 其他產(chǎn)品

  ：公司還推出了 GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動(dòng) IC、電源管理 IC、IPM 智能功率模塊、MCU 等產(chǎn)品。

新潔能的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)核心在于技術(shù)壁壘深厚、性能對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭、品類全且高可靠，同時(shí)具備成本與本土化服務(wù)優(yōu)勢(shì)，適配新能源、汽車電子、工業(yè)控制等高端場(chǎng)景無錫新潔能。以下從多維度展開說明：

核心技術(shù)領(lǐng)先，工藝平臺(tái)完整

1. 四大核心平臺(tái)先發(fā)

   ：國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)技術(shù)并量產(chǎn)屏蔽柵、超結(jié) MOSFET，最早在 12 英寸平臺(tái)實(shí)現(xiàn)溝槽型與屏蔽柵 MOSFET 量產(chǎn)，同時(shí)擁有溝槽型、超結(jié)、屏蔽柵 MOSFET 及 IGBT 四大平臺(tái)，電壓覆蓋 12V - 1700V，型號(hào)近 4000 款，可快速響應(yīng)多領(lǐng)域差異化需求。

2. 先進(jìn)工藝迭代快

   • SGT - III MOSFET：導(dǎo)通電阻降 20%+，ESD、短路能力升 10%+，EMI 更優(yōu)，適配汽車電子、AI 服務(wù)器高頻工況 無錫新潔能 。

   • 第七代 IGBT：微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，650V 產(chǎn)品電流密度達(dá) 550A/cm2 以上，導(dǎo)通與開關(guān)損耗平衡佳，效率顯著提升。

   • SiC MOSFET（650V - 1700V）：第二代產(chǎn)品雪崩耐量頂尖，高溫導(dǎo)通電阻優(yōu)化，適配新能源汽車電驅(qū)、大功率充電，系統(tǒng)效率提升 30%+ 無錫新潔能 。

3. 第三代半導(dǎo)體布局

   ：SiC 已規(guī)模銷售，GaN HEMT 完成可靠性測(cè)試，形成 “硅基 + 碳化硅 + 氮化鎵” 全技術(shù)路線覆蓋，契合高端場(chǎng)景升級(jí)需求。

產(chǎn)品

關(guān)鍵性能優(yōu)勢(shì)

應(yīng)用適配

MOSFET（SGT / 超結(jié)等）

低導(dǎo)通電阻、快開關(guān)、寬 SOA、強(qiáng)雪崩耐量，HO 系列線性區(qū)短路能力升 50%，SOA 拓寬 30%+

汽車電子（AEC - Q101）、工業(yè)電源、AI 算力電源

IGBT

第七代技術(shù)兼顧導(dǎo)通壓降與開關(guān)損耗，模塊支持高功率轉(zhuǎn)換，適配光伏儲(chǔ)能逆變高效需求

光伏逆變器、工業(yè)變頻、新能源汽車

SiC MOSFET

高溫穩(wěn)定性好，雪崩耐量頂尖，瞬態(tài)沖擊魯棒性強(qiáng)，適配高壓高頻場(chǎng)景 無錫新潔能

新能源汽車電驅(qū)、大功率充電樁

品質(zhì)管控嚴(yán)格，車規(guī)與工業(yè)級(jí)認(rèn)證齊全

1. 全流程質(zhì)量管控

   ：從芯片代工（華虹宏力等）到封裝測(cè)試，建立嚴(yán)格供應(yīng)商機(jī)制與老化考核，產(chǎn)品一致性高，最高節(jié)溫達(dá) 175℃。

2. 車規(guī)級(jí)認(rèn)證加持

   ：多款 MOSFET、IGBT 通過 AEC - Q101，滿足汽車電子長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行要求，加速進(jìn)口替代。

1. 供應(yīng)鏈穩(wěn)定

   ：綁定華虹宏力等頭部代工廠，12 英寸產(chǎn)能保障，規(guī)模效應(yīng)下成本可控，性價(jià)比優(yōu)于部分國(guó)際品牌。

2. 響應(yīng)速度快

   ：本土化設(shè)計(jì)與服務(wù)，技術(shù)支持、樣品交付、定制開發(fā)周期短，適配國(guó)內(nèi)客戶快速迭代需求。

3. 生態(tài)協(xié)同

   ：配套柵極驅(qū)動(dòng) IC、電源管理 IC、IPM 等，提供 “芯片 + 模塊 + 驅(qū)動(dòng)” 一體化解決方案，降低客戶開發(fā)門檻。

1. 行業(yè)地位領(lǐng)先

   ：連續(xù)多年位列中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)，2021 年國(guó)內(nèi) MOSFET 銷售額含國(guó)際廠商排名第 5，設(shè)計(jì)領(lǐng)域第一；2024 年入選全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)（本土功率設(shè)計(jì)唯一）。

2. 高端市場(chǎng)突破

   ：SGT - III 替代國(guó)際料號(hào)超千款，IGBT 在光伏儲(chǔ)能批量供貨，SiC 進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈，客戶認(rèn)可度持續(xù)提升。